haku: @keyword GaAs / yhteensä: 22
viite: 7 / 22
Tekijä: | Honkanen, Katri |
Työn nimi: | Fabrication and characterization of metal-semiconductor-metal photodetectors |
Metalli-puolijohde-metalli valoilmaisimien valmistus ja karakterisointi | |
Julkaisutyyppi: | Lisensiaatintutkimus |
Julkaisuvuosi: | 1997 |
Sivut: | 81 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Elektronifysiikka (S-69) |
Valvoja: | Kuivalainen, Pekka |
Ohjaaja: | |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | MSM-Photodetector Schottky diode current transport dynamical response responsivity gain Si SOI GaAs Si SOI GaAs MSM-valoilmaisin Schottky-diodi virrankuljetus nopeus vaste vahvistus |
ED: | 1998-02-09 |
INSSI tietueen numero: 12940
+ lisää koriin
INSSI