haku: @keyword MOVPE / yhteensä: 23
viite: 23 / 23
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Korkala, Tarja
Työn nimi:In(Ga)As/GaAs-saarekkeiden valmistus ja peittäminen MOVPE-tekniikalla
Fabrication and covering on In(Ga) quantum dots by MOVPE
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:1998
Sivut:57      Kieli:   fin
Koulu/Laitos/Osasto:Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto
Oppiaine:Optoelektroniikka   (S-104)
Valvoja:Tuomi, Turkka
Ohjaaja:Sopanen, Markku
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark S80     | Arkisto
Avainsanat:puolijohdelaser
In(Ga)As-saarekkeet
kvanttipiste
Stranski-Krastanow-kasvu-moodi
itseorganisoituva kasvu
MOVPE
Tiivistelmä (fin):Työssä on valmistettu peittämättömiä InAs-saarekkeita sekä peittämättömiä ja peitettyjä In_(0.50)Ga_(0.50)As -saarekkeita GaAs-alustakiteen päälle.
Saarekekasvu noudatti Stranski-Krastanow-kasvumoodia.
Kerrosrakenteiden kasvatuksessa käytettiin TKK:n Optoelektroniikan laboratorion MOVPE-laitetta.
Saarekkeiden muodostumista tutkittiin eri kasvatusparametrien suhteen.
Peittämättömien saarekkeiden tiheys ja kokojakauma määritettiin atomivoimamikroskoopilla.
Peitettyjen saarekkeiden optiset ominaisuudet karakterisoitiin fotoluminesenssimittauksilla.

InAs-saarekkeiden tiheys, noin 10[10] cm[-2], oli riittävän suuri kvanttipistelaserrakennetta varten, mutta ongelmana oli saarekkeiden epähomogeenisuus.
Peittämättömien InGaAs-saarekkeiden tiheydeksi saatiin parhaimmillaan 4 10[10] cm[-2] ja keskimääräiseksi korkeudeksi 6-8 nm.
Optimaalisimmat saarekerakenteet saatiin kahdella eri kasvatusparametri-ikkunalla.

Peitetyssä InGaAs/GaAs-rakenteessa saarekkeet peitettiin 50 nm:n paksuisella GaAs-kerroksella.
InGaAs-saarekkeet luminoivat transitioenergialla 1,05-1,15 eV riippuen saarekkeiden koosta.
Saarekkeiden perustilan puoliarvon leveys oli kapeimmillaan noin 40 meV, josta voidaan päätellä saarekkeiden olleen erittäin homogeenisia.
Työssä kokeiltiin myös pinottua saarekerakennetta, jossa oli viisi InGaAs-kerrosta päällekäin.
Saarekekerrosten välissä oli 5 nm:n paksuiset GaAs-kerrokset.
Pinottu rakenne luminoi heikommin kuin 1-kerroksinen InGaAs/GaAs-rakenne.
ED:1998-03-10
INSSI tietueen numero: 13036
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI