haku: @keyword MOVPE / yhteensä: 23
viite: 23 / 23
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Korkala, Tarja |
Työn nimi: | In(Ga)As/GaAs-saarekkeiden valmistus ja peittäminen MOVPE-tekniikalla |
Fabrication and covering on In(Ga) quantum dots by MOVPE | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 1998 |
Sivut: | 57 Kieli: fin |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Optoelektroniikka (S-104) |
Valvoja: | Tuomi, Turkka |
Ohjaaja: | Sopanen, Markku |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | puolijohdelaser In(Ga)As-saarekkeet kvanttipiste Stranski-Krastanow-kasvu-moodi itseorganisoituva kasvu MOVPE |
Tiivistelmä (fin): | Työssä on valmistettu peittämättömiä InAs-saarekkeita sekä peittämättömiä ja peitettyjä In_(0.50)Ga_(0.50)As -saarekkeita GaAs-alustakiteen päälle. Saarekekasvu noudatti Stranski-Krastanow-kasvumoodia. Kerrosrakenteiden kasvatuksessa käytettiin TKK:n Optoelektroniikan laboratorion MOVPE-laitetta. Saarekkeiden muodostumista tutkittiin eri kasvatusparametrien suhteen. Peittämättömien saarekkeiden tiheys ja kokojakauma määritettiin atomivoimamikroskoopilla. Peitettyjen saarekkeiden optiset ominaisuudet karakterisoitiin fotoluminesenssimittauksilla. InAs-saarekkeiden tiheys, noin 10[10] cm[-2], oli riittävän suuri kvanttipistelaserrakennetta varten, mutta ongelmana oli saarekkeiden epähomogeenisuus. Peittämättömien InGaAs-saarekkeiden tiheydeksi saatiin parhaimmillaan 4 10[10] cm[-2] ja keskimääräiseksi korkeudeksi 6-8 nm. Optimaalisimmat saarekerakenteet saatiin kahdella eri kasvatusparametri-ikkunalla. Peitetyssä InGaAs/GaAs-rakenteessa saarekkeet peitettiin 50 nm:n paksuisella GaAs-kerroksella. InGaAs-saarekkeet luminoivat transitioenergialla 1,05-1,15 eV riippuen saarekkeiden koosta. Saarekkeiden perustilan puoliarvon leveys oli kapeimmillaan noin 40 meV, josta voidaan päätellä saarekkeiden olleen erittäin homogeenisia. Työssä kokeiltiin myös pinottua saarekerakennetta, jossa oli viisi InGaAs-kerrosta päällekäin. Saarekekerrosten välissä oli 5 nm:n paksuiset GaAs-kerrokset. Pinottu rakenne luminoi heikommin kuin 1-kerroksinen InGaAs/GaAs-rakenne. |
ED: | 1998-03-10 |
INSSI tietueen numero: 13036
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI