haku: @keyword MOVPE / yhteensä: 23
viite: 21 / 23
Tekijä: | Toivonen, Juha |
Työn nimi: | Mikrokaviteettirakenteen valmistus ja optiset ominaisuudet |
Fabrication and optical properties of microcavity structure | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 1999 |
Sivut: | 65 Kieli: fin |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Optoelektroniikka (S-104) |
Valvoja: | Tuomi, Turkka |
Ohjaaja: | Lipsanen, Harri |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | mikrokaviteetti Braggin peili kvanttikaivo MOVPE röntgendiffraktio aikariippuva fotoluminesenssi |
Tiivistelmä (fin): | Teknillisen korkeakoulun Optoelektroniikan laboratorion MOVPE-laitteella valmistettiin viisi monikerroksista puolijohdenäytettä. Kahden Braggin peilirakenteen avulla kalibroitiin puolijohteiden kasvunopeuksia ja yksittäisen kvanttikaivon avulla tarkistettiin kvanttikaivosta emittoituneiden fotonien energia. Tyhjä mikrokaviteettirakenne valmistettiin vertailukohdaksi mikrokaviteettirakenteelle, jonka kaviteettiin valmistettiin yksi kvanttikaivo. Röntgendiffraktiomittauksilla tutkittiin valmistettujen näytteiden kerrospaksuuksia ja näytteiden optisia ominaisuuksia tutkittiin heijastuskerroinmittauksilla, fotoluminesenssimittauksilla ja aikariippuvilla fotoluminesenssimittauksilla. Mikrokaviteettien Braggin peilit valmistettiin 71 nm paksuista Al_(0,2)Ga_(0,8)As-kerroksista ja 82 nm paksuista AlAs-kerroksista. Mikrokaviteettien yläpeileissä käytettiin 9-periodisia ja alapeileissä 121/2-periodisia Braggin peilejä. Molempien peilien heijastuskerroin resonanssitaajuudella oli noin 0,9. Yhden aallonpituuden mittaisen GaAs-kaviteettikerroksen paksuus oli noin 270 nanometriä. Röntgendiffragtiomittauksilla selvitettiin puolijohdekerroksien paksuusjakaumaa ja todettiin kerrospaksuuksien muuttuvan näytteen alueella yli 15 prosenttia. Kerrospaksuuksien vaihteluista johtuen mikrokaviteetin resonanssitaajuutta voitiin säätää siirtämällä mittauspistettä näytteen alueella. Kvanttikaivollisen mikrokaviteettinäytteen heijastuskerroinspektrissä näkyi eksitonien aiheuttama piikki, mutta merkkejä vahvasta kaviteettimoodin ja eksitonien kytkeytymisestä ei löytynyt. Aikariippuvista fotoluminesenssimittauksista selvitettiin luminesenssin intensiteetin eksponentiaalisen vaimenemisen aikavakiot. Kaviteettimoodin ja eksitonien resonanssissa aikavakio oli 1,9 ns ja kaukana resonanssista 1,1 ns. |
ED: | 1999-03-08 |
INSSI tietueen numero: 14032
+ lisää koriin
INSSI