haku: @keyword point defect / yhteensä: 3
viite: 3 / 3
« edellinen | seuraava »
| Tekijä: | Oila, Juha |
| Työn nimi: | Optoelektroniikassa käytettävien yhdistepuolijohdemateriaalien tutkiminen hitaiden positronien laitteistolla |
| Study of optoelectronic compound semiconductors by slow positron beam | |
| Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
| Julkaisuvuosi: | 1998 |
| Sivut: | 97 Kieli: fin |
| Koulu/Laitos/Osasto: | Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto |
| Oppiaine: | Fysiikka (Tfy-3) |
| Valvoja: | Hautojärvi, Pekka |
| Ohjaaja: | Laine, Tatu |
| OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
| Sijainti: | P1 Ark TF80 | Arkisto |
| Avainsanat: | positron spectroscopy compound semiconductor DX-center compensation point defect positronispektroskopia yhdistepuolijohde ZnSe GaInP AlGaAs DX-keskus kompensaatio pistevirhe heteroliitos |
| ED: | 1998-02-09 |
INSSI tietueen numero: 12955
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI