haku: @keyword kerrosrakenne / yhteensä: 3
viite: 3 / 3
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Enkovaara, Jussi |
Työn nimi: | Giant and Colossal Magnetoresistance: Interlayer Coupling in Co/Si |
Jättiläismäinen ja kolossaalinen magnetoresistanssi: magneettinen kytkentä Co/Si kerroksissa | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 1999 |
Sivut: | 71 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto |
Oppiaine: | Fysiikka (laskennallinen fysiikka) (Tfy-105) |
Valvoja: | Nieminen, Risto |
Ohjaaja: | Ayela, Andrés |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark TF80 | Arkisto |
Avainsanat: | GMR CMR Co Si multilayer interlayer coupling electronic structure GMR CMR Co Si kerrosrakenne magneettinen kytkentä elektronirakenne |
Tiivistelmä (fin): | Magnetoresistiivisyydellä tarkoitetaan ilmiöitä, joissa aineen sähkönjohtavuus muuttuu ulkoisen magneettikentän vaikutuksesta. Ilmiö on tunnettu jo pitkään, mutta viime vuosina tehdyt havainnot suurista sähkönjohtavuuden muutoksista magneettikentässä, ns. jättiläismäinen ja kolossaalinen magnetoresistanssi, ovat herättäneet kiinnostuksen uudelleen. Tässä työssä on annettu lyhyt katsaus molempiin yllä mainittuihin ilmiöihin. Myös jättiläismäiseen magnetoresistanssiin läheisesti liittyvä oskilloiva kerrosten välinen magneettinen kytkentä on esitelty. Uusista mahdollisista magnetoresistiivisistä rakenteista magneettisten aineiden ja perinteisten elektroniikan materiaalien yhdistäminen on herättänyt kiinnostusta. Tässä työssä on tutkittu kerrosten välistä magneettista kytkentää Co/Si rakenteissa. Kytkentä on laskettu käyttäen tiheysfunktionaaliteoriaa ja kytkennän on havaittu oskilloivan ferromagneettisesta antiferromagneettiseen riippuen piikerroksen paksuudesta. Oskilloinnin jaksoväli on kaksi piikerrosta. Co/Si kerrosten elektronirakenne viittaa kvanttikaivojen muodostumiseen Si kerroksissa. Elektronirakenteen kvalitatiiviset ominaisuudet on selitetty yksinkertaisen kvanttikaivomallin avulla. |
ED: | 1999-07-20 |
INSSI tietueen numero: 14585
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI