haku: @keyword fixed abrasive / yhteensä: 3
viite: 3 / 3
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Luoto, Hannu |
Työn nimi: | Chemical-Mechanical Polishing of Epitaxially Grown Polysilicon for Micro-Mechanical Structures |
Epitaksiaalisesti kasvatettujen monikiteisten piikalvojen kemiallismekaaninen kiillotus mikromekaanisten rakenteisiin | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2004 |
Sivut: | 88 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Materiaali- ja kalliotekniikan osasto |
Oppiaine: | Elektronifysiikka (S-69) |
Valvoja: | Kuivalainen, Pekka |
Ohjaaja: | Kulawski, Martin |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark V80 | Arkisto |
Avainsanat: | chemical-mechanical polishing CMP polysilicon Poly-Si SOI Fixed Abrasive kemiallismekaaninen kiillotus CMP monikiteinen pii Poly-Si SOI Fixed Abrasive |
Tiivistelmä (fin): | Tässä työssä esitellään kemiallismekaanisen kiillotuksen (CMP) teoria pääperiaatteiltaan sekä syvennytään monikiteisen piin kiillotukseen. Työssä käsitellään kiillotukseen liittyviä mekaanisia ja kemiallisia näkökulmia. Monikiteisen piin kiillotusta on tehty laajasti aikaisemminkin, mutta ei tämän työn vaatimusten velvoittamalla tavalla. Aikaisempiin tutkimuksiin verrattuna poikkeavaa oli, että suuresta kiillotuksen poistosta huolimatta pinnankarheuden oli päädyttävä erittäin hyvälle tasolle. Tämän tarkoituksena oli mahdollistaa uuden tyyppisen mikrosysteemisovelluksen valmistus käyttäen monikiteisestä piistä muodostuvan SOI-kerroksen anodista liittämistä. Monikiteisen piin kiillotuksen suurimpana tehtävänä oli oikeiden kiillotusalustojen sekä kiillotusnesteiden löytäminen. Prosessin kehitys keskittyi sittemmin prosessiparametrien optimointiin parhaiksi havaituilla alustoilla ja nesteillä. Alustan ja nesteen valintakriteereinä olivat kyky saada pinnankarheus mahdollisimman alhaiseksi, kalvon poistonopeutta sekä kiekon tasaisuuden säilyminen prosessin aikana. Mikäli piin raerajojen todettiin paljastuvan oli alusta tai neste sopimaton monikiteiselle piille. Haitallisena pidettiin myös liian suuria jäännöspartikkelien määriä kiekolla. Epitaksiaalisessa piin kasvatusprosessissa todettiin piin pinnalle muodostuvan piikkejä, jotka estäisivät anodisen liittämisen pieninäkin määrinä. Kun perinteisillä kiillotusmenetelmillä ei näitä piikkejä pystytty poistamaan, prosessikehitykseen otettiin mukaan Fixed abrasive kiillotusmenetelmä, jossa varsinaista kiillotusnestettä ei käytetä. Tämä menetelmä osoittautuikin erinomaiseksi sekä piikkien poistossa, että kiekon tasaisuuden ylläpitämisessä. Kulutustarviketutkimus johti lopulta hyvän prosessin löytymiseen. Tämän prosessin ensimmäisessä vaiheessa kiillotus suoritetaan käyttäen Fixed abrasive menetelmää, jota seuraa perinteinen kiillotus pehmeällä polyuretaanialustalla. Kiillotusnesteenä toimii emäksinen neste, jonka kiillotuspartikkelit olivat pienimpiä kokeissa käytetyistä. Sen kyky saavuttaa matalia pinnankarheuksia yhdessä pehmeän alustan kanssa todettiin erinomaiseksi. Saavutetut pinnankarheuksien neliölliset keskiarvot olivat noin 8 Ångströmiä 20µm*20µm alalla. |
ED: | 2004-04-16 |
INSSI tietueen numero: 25152
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI