haku: @instructor Ahopelto, Jouni / yhteensä: 3
hakutulos-lista
viite: 1 / 3
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Pursula, Eeva
Työn nimi:Lateral Field Effect Devices for Room Temperature Silicon Nanoelectronics
Sivusuuntaiseen kenttävaikutukseen perustuvat piipohjaiset huoneenlämpötilan nanoelektroniikkakomponentit
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2005
Sivut:iv + 72 s. + liitt. 6      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto
Oppiaine:Fysiikka   (Tfy-3)
Valvoja:Saarinen, Kimmo
Ohjaaja:Ahopelto, Jouni
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark TF80     | Arkisto
Avainsanat:SSD
field effect devices
nanoelectronics
SSD
kenttävaikutuskomponentit
nanoelektroniikka
Tiivistelmä (fin): Huoneenlämpötilassa toimiville nanokomponenteille kehitettiin SOI-kiekkoihin perustuva valmistusprosessi.
Pohjana käytettiin aikaisemmin kehitettyä IC-prosessia.
Komponentit kuvioitiin elektronisuihkulitografialla, jota seuraavassa Cl2-plasmaetsauksessa käytettiin SiO2-kovamaskia pystysuorien seinämien aikaansaamiseksi 50 nm leveisiin rakoihin.

Komponentit perustuvat MOSFETin toimintaan.
Hilajännite muokkaa kanavan vyörakennetta joko sallien tai estäen komponentin läpi kulkevan virran.
Komponenttigeometriasta johtuen virtaa ei kulje ilman hilajännitettä, joten pn-liitoksia ei tarvita.

Transistorien (FET) lisäksi valmistettiin ohueen SOI kerrokseen etsattuun epäsymmetriseen kanavaan perustuvia nanokytkimiä (SSD, nielujännite toimii myös hilajännitteenä), joiden I-V-käyrä on vastaavanlainen kuin diodilla.
Näitä komponentteja käyttäen valmistettiin mittausten ja simulaatioiden pohjalta loogisia portteja.
Etuna perinteisiin piireihin nähden on, ettei yksittäisten komponenttien välisiin kytkentöihin tarvita ylempien kerrosten kautta kulkevia langoituksia.
Tutkittiin piin seostuksen ja komponenttigeometrian muutosten vaikutuksia komponenttien virta-jännite-käyttäytymiseen.

Komponenttien ominaisuuksia parannettiin seostuksen avulla.
Seostusatomien käyttäytyminen Si-SiO2-rajapinnalla pienentää kanava-alueen efektiivistä seostusta.
Tämä lisää kanavan vastusta kuljetuksen perustuessa aukkojen liikkeeseen, mikä parantaa kanavan jänniteohjausta.

Työn perusteella sivusuuntaiseen kenttävaikutukseen perustuvia kapeakanavaisia (noin 50 nm) ja noin 1 µm pituisia komponentteja voidaan käyttää diodeina ja transistoreina huoneenlämpötilassa.
Myös niiden käyttö monimutkaisempien tiedonkäsittely-yksiköiden rakentamiseen vaikuttaa mahdolliselta.
ED:2005-05-04
INSSI tietueen numero: 28754
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI