haku: @keyword DRIE / yhteensä: 3
viite: 3 / 3
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Gao, Feng |
Työn nimi: | Silicon Etching in Inductively Coupled Plasma for MEMS Structures |
Mikromekaanisten piirakenteiden induktiivisesti kytketty plasmaetsaus | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2006 |
Sivut: | viii + 58 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Elektronifysiikka (S-69) |
Valvoja: | Kuivalainen, Pekka |
Ohjaaja: | Pekko, Panu |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | ICP DRIE MEMS HARS deep silicon etching plasma processing Bosch process comb structures membranes piin syväetsaus plasmaprosessointi Bosch-prosessi kamparakenteet membraanit |
Tiivistelmä (fin): | Tässä diplomityössä esitetään piin plasmaetsauksen periaatteet ja tekniikka. Työssä tutkittiin etsaustulokseen vaikuttavia tekijöitä ja niiden keskinäistä riippuvuutta, kun tavoitteena on suuren aspektisuhteen mikromekaanisten (MEMS) rakenteiden etsaus. Lisäksi esitellään plasmatekniikan perusteet, piimikromekaniikkaa, SOI (Silicon on Insulator) -tekniikkaa ja tyypillisiä MEMS-rakenteita. Kokeellinen työ suoritettiin STS:n ICP (Inductively Coupled Plasma) -etsauslaitteistolla. Tulokset koskevat etsausnopeutta, selektiivisyyttä, etsauksen tasaisuutta, saavutettavaa aspektisuhdetta ja etsattujen kuvioiden profiilia. Tärkeimmät muuttujat olivat kelan RF (Radio Frequency) teho, biasteho ja sen taajuus, etsauskammion prosessipaine, kaasujen virtausnopeudet sekä lämpötila. Työssä selvitettiin muuttujien vaikutus etsaustulokseen. Erikoisrakenteita varten kehitettiin useita pulssitukseen perustuvia etsausreseptejä. Reseptejä voidaan hyödyntää vakioresepteinä vastaaville rakenteille vastaavissa laitteistoissa. |
ED: | 2006-12-20 |
INSSI tietueen numero: 32783
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI