haku: @keyword säteilynkestävyys / yhteensä: 3
viite: 2 / 3
Tekijä:Maksimow, Maria
Työn nimi:Transient Current Technique (TCT) Characterization of Silicon Particle Detectors
Piihiukkasilmaisimien karakterisointi virtatransienttimenetelmällä
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2009
Sivut:viii + 53      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Elektroniikan, tietoliikenteen ja automaation tiedekunta
Oppiaine:Optoelektroniikka   (S-104)
Valvoja:Lipsanen, Harri
Ohjaaja:Härkönen, Jaakko
Elektroninen julkaisu: http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201203071316
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark S80     | Arkisto
Avainsanat:TCT
silicon
radiation hardness
MCZ-Si
particle detector
pii
säteilynkestävyys
MCZ-pii
hiukkasilmaisin
Tiivistelmä (fin): Hiukkasilmaisimet altistuvat huomattavalle säteilylle tulevaisuudessa korkean energian hiukkasfysiikkakokeissa, esimerkiksi kun CERN:n hiukkaskiihdytin LHC ajanmukaistetaan.
Näin ollen pii-ilmaisimien säteilynkestävyyden parantamista eli erilaisten säteilyn aiheuttamien kidevirheiden sekä ilmaisinsovellusten muokkaamista tutkitaan laajasti.
Magneettisella Czochralski-menetelmällä (MCZ) valmistetuista kiekoista prosessoituja p-tyypin ilmaisimia on kuitenkin tarkasteltu melko vähän.
Tässä työssä verrattiin sekä n- että p-tyypin MCZpii-ilmaisimia sekä float zone -menetelmällä (FZ) valmistetuista kiekoista prosessoituja n-tyypin ilmaisimia suorittamalla virtatransienttimittauksia (TCT).

Tulokset osoittavat, että MCZ-piin sähköiset ominaisuudet ovat huomattavasti säteilynkestävämpiä kuin FZ-piin.
Tutkittujen parametrien perusteella voidaan myös päätellä, että p-tyypin MCZ-pii saattaa olla säteilynkestävämpi ilmaisinmateriaali kuin n-tyypin MCZ-pii.
Tämän työn tulokset tukevat siis oletusta, että LHC-kokeiden nykyisten FZ-pii-ilmaisimien vaihtaminen n- tai p-tyypin MCZ-ilmaisimiin olisi varteenotettava vaihtoehto.
Tiivistelmä (eng):In future high energy physics experiments, such as in the foreseen upgrade of the particle accelerator LHC at CERN, particle detectors will be exposed to significantly high particle radiation doses.
Thus, extensive research is being conducted on improving the radiation hardness of silicon particle detectors and various defect and device engineering methods are examined.
However, little data has been gathered especially from p-type magnetic Czochralski silicon (MCZ-Si) devices.

This thesis presents the results of comparative transient current technique (TCT) measurements of both n-type and p-type MCZ silicon detectors as well as n-type Float Zone (FZ) silicon detectors.
The results demonstrate that the MCZ silicon devices have superior radiation hard properties in comparison with the FZ silicon devices.
Various examined parameters also suggest that p-type may be a more radiation hard material solution for silicon detectors than n-type MCZ silicon.
Thus, replacing the currently installed FZ silicon detectors in LHC experiments with either n-type or p-type MCZ-Si devices is a viable option.
ED:2009-10-07
INSSI tietueen numero: 38440
+ lisää koriin
INSSI