haku: @keyword hybridimateriaali / yhteensä: 3
hakutulos-lista
viite: 3 / 3
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Sundberg, Pia
Työn nimi:Deposition of inorganic-organic hybrid thin films by ALD and MLD
Epäorgaanis-orgaanisten hybridiohutkalvojen kasvatus ALD- ja MLD-menetelmillä
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2010
Sivut:vii + 64 s. + liitt. 1      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Kemian laitos
Oppiaine:Epäorgaaninen kemia   (Kem-35)
Valvoja:Karppinen, Maarit
Ohjaaja:Sood, Anjali ; Malm, Jari
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark Aalto  3739   | Arkisto
Avainsanat:inorganic-organic hybrid thin film
ALD
MLD
hybridimateriaali
ALD
MLD
ohutkalvo
titaani
Tiivistelmä (fin): Materiaaleja, joissa on sekä epäorgaanisia että orgaanisia osia, kutsutaan epäorgaanisorgaanisiksi hybridimateriaaleiksi.
Näissä materiaaleissa voidaan hyödyntää molempien osien kemiaa ja niiden kiinnostavia ominaisuuksia voidaan käyttää lukemattomissa eri sovelluskohteissa.
Mahdollisia käyttökohteita varten tarvitaan yksinkertainen ja luotettava ohutkalvojen kasvatusmenetelmä.
Atomikerroskasvatus (Atomic layer deposition, ALD) on kasvatusmenetelmä, joka perustuu jaksottaisiin, itsekyllästyviin pintareaktioihin.
ALD:llä voidaan valmistaa korkealaatuisia kalvoja, joiden paksuutta voidaan kontrolloida atomikerroksen tarkkuudella.
ALD:ssä käytetyt lähtöaineet ovat tyypillisesti epäorgaanisia.
Molekyylikerroskasvatus (molecular layer deposition, MLD) on ALD:n muunnos, jossa käytetyt lähtöaineet ovat orgaanisia.
Yhdistämällä ALD ja MLD voidaan valmistaa korkealaatuisia epäorgaanis-orgaanisia hybridiohutkalvoja räätälöidyillä molekyylirakenteilla.
Työn kirjallisuusosan esitetään ALD:n periaate lyhyesti ja katsaus tutkimustyöhön, jota on tehty orgaanisilla ja hybridiohutkalvoilla.

Työn kokeellisessa osassa valmistettiin sarja epäorgaanis-orgaanisia hybridiohutkalvoja, joiden lähtöaineina käytettiin titaanitetrakloridia ja 4,4'- oksidianiliinia.
Kasvatuksia tehtiin 160 - 490 °C lämpötilavälillä. 270 - 490 °C lämpötiloissa kasvatetut kalvot olivat stabiileja ilmassa, toisin kuin mitkään aiemmin raportoidut ALD/MLD:llä valmistetut hybridiohutkalvot.
Fourier-muunnos infrapunaspektroskopiamittaukset vahvistivat että lähtöaineet reagoivat keskenään kasvatuksen aikana.
Spektroskoopilla suoritetut paksuuden määritykset osoittivat että kalvojen kasvunopeus kasvoi kasvatuslämpötilan noustessa.
Tiivistelmä (eng): Inorganic-organic hybrid materials are materials containing both inorganic and organic moieties.
They profit from the chemistry of both parts and may have interesting properties usable in many not-yet-imagined applications.
To realize the potential of many applications a simple and reliable thin film deposition method is required.
Atomic layer deposition (ALD) is a method that is based on sequential, self-limiting surface reactions.
The films fabricated by ALD are uniform and conformal.
The process also provides good control over the thickness of the film and good reproducibility.
In ALD the precursors are traditionally inorganic.
Molecular layer deposition (MLD) is a variant of ALD where the precursors used are purely organic.
It provides similar advantages for polymer film depositions similarly to ALD in case of inorganic films.
The use of ALD together with MLD provides us with a method to prepare inorganic-organic hybrid thin films of high quality with tailored molecular structures.
In the literature part the principle of ALD is described in the first chapter.
An overview of the research done with organic and hybrid thin films is given in end of the literature survey.

In the experimental part inorganic-organic hybrid thin films were prepared using titanium tetrachloride and 4, 4'-oxydianiline as precursors.
The deposition temperatures ranged from 160 to 490 °C.
All the films were smooth and uniform.
The films deposited at temperatures 270 - 490 °C were stable in ambient laboratory air, unlike any other inorganic-organic hybrid thin films deposited by ALD/MLD.
Fourier transform infrared measurements confirmed that reaction between the two precursors took place during the deposition.
Spectroscopy measurements revealed that the growth rate increased with increasing temperature.
ED:2010-05-04
INSSI tietueen numero: 39542
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI