haku: @instructor Grigoras, Kestutis / yhteensä: 3
viite: 1 / 3
« edellinen | seuraava »
| Tekijä: | Moisio, Aleksi |
| Työn nimi: | Hilaoksidin ja passivoinnin vaikutus takahilaisen hiilinanoputkitransistorin sähköisiin ominaisuuksiin |
| The effect of a gate oxide and passivation on the electrical characteristics of a back-gated carbon nanotube transistor | |
| Julkaisutyyppi: | Kandidaatintyö |
| Julkaisuvuosi: | 2011 |
| Sivut: | 38 Kieli: fin |
| Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkötekniikan korkeakoulu |
| Koulutusohjelma: | Elektroniikan ja sähkötekniikan tutkinto-ohjelma |
| Oppiaine: | Sähköfysiikka (S3014) |
| Valvoja: | Turunen, Markus |
| Ohjaaja: | Grigoras, Kestutis |
| Elektroninen julkaisu: | http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201305162442 |
| Sijainti: | |
| Avainsanat: | hiilinanoputkitransistori hiilinanoputki-kanavatransistori CNTFET hystereesi hilaoksidi passivointi |
| ED: | 2011-12-19 |
INSSI tietueen numero: 43561
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI