haku: @keyword power amplifier / yhteensä: 31
viite: 20 / 31
Tekijä: | Kunnari, Matti |
Työn nimi: | LDMOS Power Amplifier Design for WCDMA Base Stations |
LDMOS tehovahvistimen suunnittelu WCDMA-tukiasemiin | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2002 |
Sivut: | 59 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Piiritekniikka (S-87) |
Valvoja: | Halonen, Kari |
Ohjaaja: | Kaunisto, Risto |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | WCDMA base station power amplifier load-pull LDMOS WCDMA tukiasema tehovahvistin LDMOS load-pull |
Tiivistelmä (fin): | Tässä diplomityössä käsitellään ja tutkitaan LDMOS-transistoriteknologian soveltuvuutta WCDMA-järjestelmän tukiaseman tehovahvistinsovelluksiin. Diplomityön ensimmäinen osa käsittelee yleistä tehovahvistimen teoriaa ja erityisiä WCDMA-järjestelmän vaatimuksia tehovahvistimelta. Lisäksi esitetään suunnittelun lähtökohtana oleva load-pull -menetelmä sekä LDMOS-transistoriteknologia ja sen ominaisuudet. Toisessa osassa LDMOS-teknologian toimivuus ja sopivuus WCDMA-järjestelmän tukiaseman tehovahvistimeksi todennetaan suunnittelemalla AB-luokassa toimiva mahdollisimman lineaarinen ja hyötysuhteeltaan hyvä tehovahvistin käyttäen LDMOS-transistorin suursignaalimallia tietokonesimuloinneissa. Käytännön mittauksin varmistetaan vahvistimen toiminta vertaamalla mitattuja tuloksia suursignaalimallin antamiin simulointituloksiin sekä 3GPP:n määrittämiin vaatimuksiin. LDMOS-transistoriteknologia ja sen suursignaalimalli osoittautuivat soveliaiksi WCDMA-järjestelmän tukiaseman tehovahvististinsovelluksiin, ja suunnitellun tehovahvistimen parannetun version mitattu suorituskyky ylitti tyypilliset suorituskykyarvot, jotka transistorivalmistajat tuotteilleen lupaavat. Toisen version parannetun vahvistimen suorituskykyarvot ovat: P_(out) = 30 W, Gp = 13.5 dB, ACP = -45 dBc, kun P_(out, ave) = 4.4 W ja PAE = 17.5%. |
ED: | 2002-04-29 |
INSSI tietueen numero: 18472
+ lisää koriin
INSSI