haku: @instructor Kärhä, Petri / yhteensä: 32
viite: 16 / 32
| Tekijä: | Shpak, Maksim |
| Työn nimi: | Temperature measurements in micrometre scale |
| Lämpötilan mittaaminen mikrometriluokan mittakaavassa | |
| Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
| Julkaisuvuosi: | 2008 |
| Sivut: | 38 Kieli: eng |
| Koulu/Laitos/Osasto: | Elektroniikan, tietoliikenteen ja automaation tiedekunta |
| Oppiaine: | Mittaustekniikka (S-108) |
| Valvoja: | Ikonen, Erkki |
| Ohjaaja: | Kärhä, Petri |
| Digitoitu julkaisu: | https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/96087 |
| OEVS: | Digitoitu arkistokappale on julkaistu Aaltodocissa
|
| Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
| Avainsanat: | microglow microbridge temperature pyrometry emissivity model silicon silicon dioxide refractive index mikrohehku mikrosilta lämpötila pyrometria emissiivisyyden mallinnus pii piidioksidi taitekerroin |
| Tiivistelmä (fin): | Mikrohehkusillat ovat piistä valmistettuja, pienoiskokoisia ripustettuja rakenteita. Nämä mikrosillat säteilevät valoa, kun niiden läpi laitetaan kulkemaan sähkövirta. Niitä käytetään mm erilaisissa spektrofotometrisissä sovelluksissa kuten kaasujen analysointijärjestelmissä. Mikrosiltojen lämpötilan määrittäminen kontaktimittauksella on monimutkaista sillan pienen koon ja kontaktianturin kautta ulosjohtuvan lämmön takia. Tässä työssä on kehitetty menetelmä mikrohehkusiltojen lämpötilan määrittämiseksi mittaamalla niiden säteilyspektri. Tätä varten on rakennettu mittauslaitteisto, joka koostuu monokromaattorista, näkyvän ja lähi-infrapuna alueiden detektoreista sekä mikroskooppiobjektiiviin perustuvasta optiikasta. Lämpötilan määrittäminen säteilyspektristä on mahdollista Planckin lain avulla, jos kohteen emissiivisyys on tunnettu. Mikrohehkusilta on melko ohut ja sen takia osittain läpinäkyvä, joten se ei välttämättä käyttäydy ideaalisen harmaan kappaleen tavoin. Sen päällä on myös ohut kalvo piidioksidia, mikä aiheuttaa interferenssi-ilmiöitä. Tämän ongelman ratkaisemiseksi kehitettiin puoli-empiirinen malli, joka kuvaa ohuista kalvoista koostuvan rakenteen emissiivisyyttä. Piin optisten vakioiden ja niiden lämpötilariippuvuuden määrittämiseksi pientä palaa SOI-kiekkoa (silicon-on-insulator) mitattiin eri lämpötiloissa. Tulokset sovitettiin emissiivisyysmalliin. |
| ED: | 2009-01-26 |
INSSI tietueen numero: 36702
+ lisää koriin
INSSI