haku: @keyword APLAC / yhteensä: 36
viite: 36 / 36
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Salminen, Arto |
Työn nimi: | Ionising Radiation Effects in MOS Devices |
Ionisoivan säteilyn vaikutukset MOS-komponenteissa | |
Julkaisutyyppi: | Lisensiaatintutkimus |
Julkaisuvuosi: | 1995 |
Sivut: | 72 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkötekniikan osasto |
Oppiaine: | Optoelektroniikka (S-104) |
Valvoja: | Tuomi, Turkka |
Ohjaaja: | Palmén, Helge |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | radiation effects MOS MINIMOS APLAC irradiation test |
ED: | 1995-07-19 |
INSSI tietueen numero: 10415
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI