haku: @supervisor Lipsanen, Harri / yhteensä: 37
hakutulos-lista
viite: 10 / 37
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Li, Changfeng
Työn nimi:Rapid thermal chemical vapor deposition of graphene on copper
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2012
Sivut:[6] + 59      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Mikro- ja nanotekniikan laitos
Oppiaine:Optoelektroniikka   (S-104)
Valvoja:Lipsanen, Harri
Ohjaaja:Riikonen, Juha
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark Aalto  977   | Arkisto
Avainsanat:chemical vapor deposition
graphene
copper foil
rapid thermal process
Raman spectroscopy
Tiivistelmä (eng): The goal of this work is to find suitable parameters for graphene growth on copper foil using rapid thermal process (RTP) chemical vapour deposition (CVD).
The growth temperature and time were optimized as the gas flow was fixed (12/3 sccm methane/hydrogen).
Various samples were fabricated to find an optimal growth temperature based on a certain growth time.
Then the effect of growth time is considered.

Graphene films on copper were initially characterized by Raman spectroscopy.
Suitable films were transferred to silicon dioxide coated silicon chips for scanning Raman spectroscopy and scanning electron microscopy.
Scanned Raman images are analysed in detail using statistical histograms to assess the graphene characteristics.
Also full width at half maximum (FWHM) of samples were tested.
The effect of the surface morphology of the copper foil and influence of the RTP process were also characterized to improve the quality of graphene.

The optimized growth parameters were found to be 935°C and 60 s.
The results indicate that surface pre-treatment of copper foil increases the quality of graphene.
ED:2012-12-10
INSSI tietueen numero: 45701
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI