haku: @keyword pii / yhteensä: 39
viite: 23 / 39
Tekijä: | Pennanen, Katja |
Työn nimi: | Termisten vakanssien tutkiminen vahvasti n-tyyppisessä piissä positroniannihilaatiospektroskopialla |
Observation of thermal vacancies in highly n-type silicon by positron annihilation spectroscopy | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2005 |
Sivut: | 96 Kieli: fin |
Koulu/Laitos/Osasto: | Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto |
Oppiaine: | Fysiikka (Tfy-3) |
Valvoja: | Saarinen, Kimmo |
Ohjaaja: | |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark TF80 | Arkisto |
Avainsanat: | positron spectroscopy silicon vacancy positronispektroskopia pii vakanssivirhe |
Tiivistelmä (fin): | Termisten vakanssien ymmärtäminen on tärkeää, sillä ne välittävät seostusatomien diffuusiota. Tämä diffuusio johtaa sähköisesti passiivisten vakanssi-epäpuhtausklusterien syntymiseen, jotka puolestaan huonontavat ratkaisevasti piin sähköisiä ominaisuuksia. Työssä tutkittiin termisiä vakansseja positronispektroskopian menetelmin voimakkaasti arseenilla ja fosforilla seostetuissa bulk-piinäytteissä sekä antimonilla ja arseenilla seostetuissa ohutkalvoissa. Termisten vakanssien havaitsemiseksi bulk-näytteistä mitattiin positronin elinaikaa ja Doppler-levenemää lämpötiloissa 200-800 K. Ohutkalvojen tapauksessa näytteitä toivutettiin erillisessä putkiuunissa ja mitattiin huoneenlämpötilassa. As-seostetussa näytteessä termiset vakanssit näkyivät positronin keskimääräisen elinajan kohoamisena lämpötiloissa 750-800 K. Syntyneiden virheiden konsentraatio oli kuitenkin liian pieni virheiden tarkemmaksi identifioimiseksi. Todettiin myös, ettei positroni loukkuunnu V-As3-virheeseen yli 580 K lämpötilassa. P-seostetussa näytteessä havaittiin termisten vakanssien syntymistä 290-750 K lämpötiloissa. 700 K ja 750 K lämpötiloissa näytteen pinnan lähellä nähdään vakansseja ja V-P-pareja ja syvemmällä näytteessä P-atomien ympäröimiä vakansseja. Näytteen jäähdyttyä huoneenlämpötilaan osa vakansseista jää näytteeseen ja pinnan läheisyydessä nähdään pieni konsentraatio divakansseja. As-seostetuissa ja RTA-toivutetuissa ohutkalvoissa havaittiin 800 K ja 1000 K lämpötiloissa tehtyjen toivutusten jälkeen termisiä vakanssivirheitä, jotka näkyvät selkeänä tasona W-parametrissa. Vakanssivirheet ovat mitä todennäköisimmin divakansseja ja niitä nähdään pieni konsentraatio jo RTA-toivutuksen jälkeen. Tason sijainnin perusteella voidaan sanoa, että virhekonsentraatio on vähintään luokkaa 1019 cm-3. Sb-seostetussa ohutkalvonäytteessä, jonka seostuskonsentraatio oli 9,4.1020 cm-3, 800 K lämpötilassa tehdyn toivutuksen jälkeen vakanssien ympärillä havaitaan lisää Sb-atomeita. Lisäksi työssä laskettiin teorian perusteella positronin loukkuuntumista relaksoituihin vakansseihin ja vakanssi-arseenipareihin ja selvitettiin eri lämmitysmenetelmien soveltuvuutta näytteen lämmittämiseen positronimittausten aikana. |
ED: | 2005-11-08 |
INSSI tietueen numero: 29939
+ lisää koriin
INSSI