haku: @keyword BJT / yhteensä: 4
viite: 3 / 4
| Tekijä: | Mellin, Joni |
| Työn nimi: | Process development, fabrication and characterization of BiPMOS integrated circuits |
| BiPMOS integroitujen piirien valmistusprosessin kehittäminen, valmistus ja karakterisointi | |
| Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
| Julkaisuvuosi: | 1999 |
| Sivut: | 94 Kieli: eng |
| Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
| Oppiaine: | Elektronifysiikka (S-69) |
| Valvoja: | Kuivalainen, Pekka |
| Ohjaaja: | Malinin, Alexei |
| Digitoitu julkaisu: | https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/86712 |
| OEVS: | Digitoitu arkistokappale on julkaistu Aaltodocissa
|
| Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
| Avainsanat: | process integration IC-fabrication technology PMOS BJT BiPMOS prosessi integrointi IC-valmistusteknologiat |
| Tiivistelmä (fin): | Tässä työssä kehitettiin transistorivalmistusprosessi, jolla on mahdollista prosessoida samalle 100 mm piikiekolle sekä p-kanavaisia metalli-oksidi-puolijohde kenttävaikutteisia transistoreita (PMOSFET) että bipolaari liitos transistoreita (BJT). Prosessia, joka integroi edellä mainitut puolijohdekomponentit kutsutaan BiPMOS-prosessiksi. Ehdotettiin 5µm minimi viivanleveyden omaavat suunnittelusäännöt. Näillä suunnittelusäännöillä suunniteltiin maskisarja, joka sisältää PMOS transistoreita, BJT transistoreita, erilaisia testirakenteita sekä yksinkertaisia PMOS integroituja piirejä (virtapeilejä, inverttereitä, differentiaali vahvistimia, sekä rengas oskillaattoreita). Kehitetyllä BiPMOS-prosessilla sekä suunnitelulla maskisarjalla valmistettiin ja mitattiin ensimmäiset Teknillisessä korkeakoulussa prosessoidut BJT transistorit ja integroidut piirit. BiPMOS -prosessin kaikki osa-prosessit, prosessi parametrit, eri osa-prosessien vuorovaikutukset, prosessointiin liittyvät käytännön järjestelyt sekä ongelma alueet tutkittiin. |
| ED: | 1999-03-23 |
INSSI tietueen numero: 14109
+ lisää koriin
INSSI