haku: @keyword kotelointi / yhteensä: 4
viite: 4 / 4
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Uusitalo, Arttu
Työn nimi:Low-noise BiCMOS amplifiers for base station applications
Vähäkohinaiset BiCMOS-vahvistimet tukiasemasovelluksiin
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:1999
Sivut:74      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto
Oppiaine:Piiritekniikka   (S-87)
Valvoja:Halonen, Kari
Ohjaaja:Pöllänen, Ossi
Digitoitu julkaisu: https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/87484
OEVS:
Digitoitu arkistokappale on julkaistu Aaltodocissa
Sijainti:P1 Ark S80     | Arkisto
Avainsanat:low-noise amplifier
LNA
bipolar transistor
noise
packaging
vähäkohinainen vahvistin
bipolaarinen transistori
kohina
kotelointi
Tiivistelmä (fin):Diplomityössä on tutkittu BiCMOS-teknologian soveltumista solukkoverkkotukiaseman vastaanottimen vähäkohinaisen vahvistimen valmistukseen.
Työssä on suunniteltu ja prosessoitu kaksi erilaista vahvistinta.
Ensimmäinen on 0.8 µm BiCMOS-prosessilla toteutettu yksipäinen yhteisemitterikytketty vahvistin, ja toinen 0.35 µm prosessilla tehty differentiaalinen kaskodivahvistin.
Työssä käsitellään lisäksi integroitujen piirien koteloinnin aiheuttamien induktanssien mallitusta.
Differentiaalisessa vahvistimessa käytetty TQFP32-kotelo on mallitettu FastHenry-ohjelmalla.

Yksipäisen vahvistimen suorituskykyä käsitellään vain simulointien pohjalta, koska suunnittelussa tehdyn virheen vuoksi piiriä ei voitu mitata.
Differentiaalisen vahvistimen mitattu vahvistus 900 MHz taajuudella oli 16.7 dB, kohinaluku 2.2 dB ja tulotehon -1 dB:n kompressiopiste -10.0 dBm.
Sama vahvistin sovitettiin myös 1750 MHz taajuudelle eri kuormapiirillä, jolloin vahvistukseksi mitattiin 22.5 dB, kohinaluvuksi 2.7 dB ja tulotehon kompressiopisteeksi -10.5 dBm.
ED:1999-11-15
INSSI tietueen numero: 14954
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI