haku: @keyword silicon-on-insulator / yhteensä: 4
viite: 1 / 4
« edellinen | seuraava »
| Tekijä: | Honkanen, Jenni |
| Työn nimi: | Buried ion implanted layer in bonded silicon-on-insulator wafers |
| Haudattu ioni-istutettu kerros bondatuissa SOI (silicon-on-insulator) kiekoissa | |
| Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
| Julkaisuvuosi: | 2011 |
| Sivut: | viii + 91 Kieli: eng |
| Koulu/Laitos/Osasto: | Materiaalitekniikan laitos |
| Oppiaine: | Materiaalitiede (MT-45) |
| Valvoja: | Hannula, Simo-Pekka |
| Ohjaaja: | Haimi, Eero ; Mäkinen, Jari |
| Digitoitu julkaisu: | https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/99769 |
| OEVS: | Digitoitu arkistokappale on julkaistu Aaltodocissa
|
| Sijainti: | P1 Ark Aalto 1870 | Arkisto |
| Avainsanat: | ion implantation bonding silicon-on-insulator ioni-istutus bondaus SOI kiekot |
| ED: | 2012-08-24 |
INSSI tietueen numero: 45113
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI