haku: @supervisor Tittonen, Ilkka / yhteensä: 48
viite: 20 / 48
Tekijä:Sainiemi, Lauri
Työn nimi:Deep Reactive Ion Etching for Microfluidic Structures
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2006
Sivut:82      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto
Oppiaine:Optiikka ja molekyylimateriaalit   (S-129)
Valvoja:Tittonen, Ilkka
Ohjaaja:Franssila, Sami
Digitoitu julkaisu: https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/93494
OEVS:
Digitoitu arkistokappale on julkaistu Aaltodocissa
Sijainti:P1 Ark S80     | Arkisto
Avainsanat:deep reactive ion etching
microfluidics
cryogenic etching
high aspect ratio structures
silicon
syvä reaktiivinen ionietsaus
mikrofluidistiikka
kylmäetsaus
korkean aspektisuhteen rakenteet
pii
Tiivistelmä (fin): Tämän diplomityön ensimmäinen osa keskittyy kylmässä tapahtuvan, tiheää SF6/O2 plasmaa käyttävän, piin syvän reaktiivisen ionietsaus prosessin karakterisointiin.
Työssä tutkittiin laiteparametrien vaikutusta etsaustulokseen.
Tutkimuksen tuloksena suurin saavutettu etsausnopeus nousi 4:stä µm/min 7,6:iin µm/min.

Diplomityön toisessa osassa keskitytään hyödyntämään syvä ionietsaus prosessia mikrofluidististen laitteiden valmistuksessa.
Kanneton kapillaarivoimilla täyttyvä kanava suunniteltiin, valmistettiin ja testattiin.
Kokeet fluoresoivilla merkkiaineilla osoittivat, että korkean aspektisuhteen mikropilarit kanavan pohjalla saavat aikaan kapillaarivirtauksen.

DIOS kokeita tehtiin sekä mustasta että huokoisesta piistä valmistetuista näytealustoista ja tuloksia verrattiin toisiinsa.
Mustan piin helppo valmistusprosessi tekee siitä houkuttelevan materiaalin DIOS sovelluksiin.
ED:2006-03-31
INSSI tietueen numero: 31470
+ lisää koriin
INSSI