haku: @keyword low-noise amplifier / yhteensä: 5
viite: 4 / 5
Tekijä: | Sivonen, Pete |
Työn nimi: | Integration of intermediate frequency circuits for base station applications |
Välitaajuuspiirien integrointi tukiasemasovellutuksissa | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 1999 |
Sivut: | 83 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Piiritekniikka (S-87) |
Valvoja: | Halonen, Kari |
Ohjaaja: | Alinikula, Petteri |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | CMOS intermediate frequency low-noise amplifier down-conversion mixer voltage-controlled oscillator välitaajuus vähäkohinainen vahvistin alassekoitin jänniteohjattu oskillaattori |
Tiivistelmä (fin): | Diplomityössä on tutkittu tukiaseman välitaajuisten osien integrointia BiCMOS-tekniikalla. Erilaisien vähäkohinaisien vahvistimien, sekoittimien ja jänniteohjattujen oskillaattoreiden ominaisuuksia on vertailtu. Aluksi esitellään vähäkohinaisien vahvistimien suunnitteluun liittyvät peruskäsitteet, käsitellään toteutetut balansoidut MOSFET yhteis-hila-vahvistinkytkennät ja esitetään niiden simulointitulokset. Muiden vaihtoehtoisten topologioiden ominaisuuksia käsitellään. Kahden toteutetun vahvistimen mittaustulokset esitetään. Sekoittimiin liittyvät peruskäsitteet käydään läpi. Balansoidun FET-rengas-sekoitin-topologian valinta perustellaan ja kytkennän simulointitulokset esitellään. Simulointituloksia verrataan mittaustuloksiin. Jänniteohjattujen oskillaattorien perusominaisuudet esitellään. Eri topologioita vertaillaan ja esitetään valitun balansoidun ristiinkytketyn MOSFET jänniteohjatun oskillaattorin simulointi- ja mittaustulokset. Lopuksi esitetään koko toteutetun välitaajuisosan simulointitulokset. Simulointituloksia verrataan mittaustuloksiin. Kaikki toteutetut piirirakenteet ovat balansoituja. Tiukkojen lineaarisuusvaatimuksien takia kaikki piirit päätettiin toteuttaa MOS-transistoreilla. |
ED: | 1999-05-04 |
INSSI tietueen numero: 14228
+ lisää koriin
INSSI