haku: @keyword millimetriaaltoalue / yhteensä: 5
viite: 2 / 5
Tekijä: | Sandström, Dan |
Työn nimi: | Design of a CMOS amplifier for millimeter-wave frequencies |
Millimetriaaltoalueen CMOS vahvistimen suunnittelu | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2008 |
Sivut: | 73 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Elektroniikan, tietoliikenteen ja automaation tiedekunta |
Oppiaine: | Piiritekniikka (S-87) |
Valvoja: | Halonen, Kari |
Ohjaaja: | Varonen, Mikko ; Kärkkäinen, Mikko |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | integrated circuits CMOS MMIC millimeter-wave frequency low noise amplifier integroidut piirit CMOS MMIC millimetriaaltoalue vähäkohinainen vahvistin |
Tiivistelmä (fin): | Nopeiden langattomien tiedonsiirtojärjestelmien kehitys on edistänyt integroitujen piirien tutkimusta ja suunnittelua millimetriaaltoalueella. Tulevaisuuden sovelluksiin kuuluvat mm. huippunopea langaton lähiverkko 60 GHz:n ympäristössä ja autotutka 77 GHz:n taajuudella. Tällä hetkellä mm-aaltoalueen tarjoamia etuja, joita ovat mm. laajat lupavapaat taajuuskaistat ja vähäiset häiriöt muista langattomista laitteista, ei juurikaan hyödynnetä kuluttajasovelluksissa. Syynä on ollut käytettyjen yhdistepuolijohdeprosessien hinta ja valmistuksen toistettavuus. Pii-pohjaisen CMOS-teknologian nopea viivanleveyden kaventuminen on mahdollistanut mm-aaltoalueen integroitujen piirien suunnittelemisen digitaalisten piiriosien kanssa täysin yhteensopivilla prosesseilla. Integrointiasteen kasvattaminen tuo säästöjä ja lisää tuotteiden luetettavuutta, jotka ovat molemmat erittäin tärkeitä ominaisuuksia tuotannon kannalta. Tässä työssä esitellään mm-aaltoalueen vahvistimen suunnittelemiseen liittyvää teoriaa ja sen soveltamista käytännön piirisuunnitteluun. Lisäksi tutkitaan passiivisten ja aktiivisten piirielementtien mallinnusta piirisuunnittelun kannalta. Suunniteltu vahvistin on tarkoitettu kattamaan osa nk. E-taajuusalueesta (60-90 GHz). Täysi yhteensopivuus digitaalisten piiriosien kanssa saavutetaan käyttämällä 65 nm:n pii-pohjaista CMOS prosessia ilman lisäoptioita. Simuloitu suorituskyky vahvistetaan mittauksin, jotka tapahtuvat suoraan pii-piiriltä mittakärkien avulla. Poikkeamat simuloiduista tuloksista käsitellään, niiden syyt paikannetaan ja vahvistetaan uusilla simulaatioilla. Vahvistimen mitattu keskitaajuus on 86 GHz, jolla saavutetaan 12 dB:n vahvistus ja 8.8 dB:n kohinaluku käyttäen 1.2 V:n käyttöjännitettä. Vahvistimen pinta-ala on vain 0.42 mm2. Tulokset ovat vertailukelpoisia, tai parempia, kuin muilla julkaistuilla 80-100 GHz:n taajuusalueella toimivilla CMOS vahvistimilla. |
ED: | 2008-07-31 |
INSSI tietueen numero: 35931
+ lisää koriin
INSSI