haku: @keyword hyötysuhde / yhteensä: 51
viite: 20 / 51
| Tekijä: | Järvinen, Pekka A. |
| Työn nimi: | Lämpötilan vaikutus GaN-hohtodiodien hyötysuhteen droop-ilmiöön |
| Julkaisutyyppi: | Kandidaatintyö |
| Julkaisuvuosi: | 2012 |
| Sivut: | 25 Kieli: fin |
| Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkötekniikan korkeakoulu |
| Koulutusohjelma: | Elektroniikan ja sähkötekniikan koulutusohjelma |
| Oppiaine: | Sähköfysiikka (S3014) |
| Valvoja: | Turunen, Markus |
| Ohjaaja: | Riuttanen, Lauri |
| Elektroninen julkaisu: | http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201305162900 |
| Sijainti: | |
| Avainsanat: | galliumnitridi LED droop hyötysuhde lämpötila |
| ED: | 2012-07-04 |
INSSI tietueen numero: 44862
+ lisää koriin
INSSI