haku: @keyword RTD / yhteensä: 6
hakutulos-lista
viite: 4 / 6
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Väänänen, Riikka
Työn nimi:Electron transport through semiconductor heterostructures
Elektronien kuljetusominaisuudet puolijohdekerrosrakenteissa
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2003
Sivut:63      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto
Oppiaine:Fysiikka   (Tfy-3)
Valvoja:Nieminen, Risto
Ohjaaja:
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark TF80     | Arkisto
Avainsanat:electron transport
equilibrium
Green's function
NEGF
resonant tunneling diode
RTD
current-voltage curve
johtavuus
epätasapaino
Greenin funktio
NEGF
resonassitunnelidiodi
RTD
virta-jännite -käyrä
Tiivistelmä (fin):Nanoelektroniikan kehittyessä voidaan rakentaa yhä pienempiä komponentteja.
Laitteiden koon pienentyessä Ohmin laki ei riitä kuvaamaan laitteissa kulkevaa virtaa, vaan elektronien liike on pystyttävä mallintamaan kvanttimekaanisesti.
Greenin funktiot epätasapainotilanteelle ovat yksi formalismi mallintaa mesoskooppista laitetta, jonka yli on kytketty jännite.

Eräs atomitason komponenttityyppi on heterorakenne, joka tarkoittaa yhdensuuntaisista erilaisista puolijohdekerroksista koottua laitetta.
Kerrokset voivat olla vain muutaman atomikerroksen paksuisia.
Tässä työssä mallinnetaan resonanssitunnelidiodia.
Mallissamme kaksi ohutta gallium-alumiini-arsenidi-kerrosta on gallium-arsenidi-kerrosten välissä.
Gallium-alumiini-arsenidilla on leveämpi kielletty vyö valenssi- ja johtavuusvöiden välissä, joten siitä tehdyt kerrokset toimivat elektroneille potentiaalivalleina.
Kokeellisesti resonanssidiodilla on havaittu negatiivisen differentiaalisen resistanssin alue tietyllä jännitevälillä.
Tämä tarkoittaa, että jännitteen kasvaessa laitteen läpi kulkeva virta pienenee.

Tässä työssä on lähdetty liikkeelle yksidimensioista rakennetta kuvaavasta Greenin funktio -formalismista ja sitä simuloivasta ohjelmasta.
Formalismia on laajennettu kuvaamaan sellaista kolmiulotteista tilannetta, jossa rakenne ei muutu virtaa vastaan kohtisuorassa äärettömässä tasossa.
Toteuttamalla tämä on saatu heterorakenteita mallintava ohjelma.
Sitä on testattu resonassitunnelidiodilla.

Ohjelma havaittiin toimivaksi mallintamalla resonanssitunnelidiodin virta-jännitekäyrä.
Joissain tapauksissa törmättiin ongelmiin, jotka johtuivat mallin rajoituksesta huomioida vain elektronien sirontatilat ja jättää resonanssitilat huomiotta.
ED:2004-01-14
INSSI tietueen numero: 21088
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI