haku: @keyword RTD / yhteensä: 6
viite: 5 / 6
Tekijä: | Väänänen, Riikka |
Työn nimi: | Electron transport through semiconductor heterostructures |
Elektronien kuljetusominaisuudet puolijohdekerrosrakenteissa | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2003 |
Sivut: | 63 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto |
Oppiaine: | Fysiikka (Tfy-3) |
Valvoja: | Nieminen, Risto |
Ohjaaja: | |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark TF80 | Arkisto |
Avainsanat: | electron transport equilibrium Green's function NEGF resonant tunneling diode RTD current-voltage curve johtavuus epätasapaino Greenin funktio NEGF resonassitunnelidiodi RTD virta-jännite -käyrä |
Tiivistelmä (fin): | Nanoelektroniikan kehittyessä voidaan rakentaa yhä pienempiä komponentteja. Laitteiden koon pienentyessä Ohmin laki ei riitä kuvaamaan laitteissa kulkevaa virtaa, vaan elektronien liike on pystyttävä mallintamaan kvanttimekaanisesti. Greenin funktiot epätasapainotilanteelle ovat yksi formalismi mallintaa mesoskooppista laitetta, jonka yli on kytketty jännite. Eräs atomitason komponenttityyppi on heterorakenne, joka tarkoittaa yhdensuuntaisista erilaisista puolijohdekerroksista koottua laitetta. Kerrokset voivat olla vain muutaman atomikerroksen paksuisia. Tässä työssä mallinnetaan resonanssitunnelidiodia. Mallissamme kaksi ohutta gallium-alumiini-arsenidi-kerrosta on gallium-arsenidi-kerrosten välissä. Gallium-alumiini-arsenidilla on leveämpi kielletty vyö valenssi- ja johtavuusvöiden välissä, joten siitä tehdyt kerrokset toimivat elektroneille potentiaalivalleina. Kokeellisesti resonanssidiodilla on havaittu negatiivisen differentiaalisen resistanssin alue tietyllä jännitevälillä. Tämä tarkoittaa, että jännitteen kasvaessa laitteen läpi kulkeva virta pienenee. Tässä työssä on lähdetty liikkeelle yksidimensioista rakennetta kuvaavasta Greenin funktio -formalismista ja sitä simuloivasta ohjelmasta. Formalismia on laajennettu kuvaamaan sellaista kolmiulotteista tilannetta, jossa rakenne ei muutu virtaa vastaan kohtisuorassa äärettömässä tasossa. Toteuttamalla tämä on saatu heterorakenteita mallintava ohjelma. Sitä on testattu resonassitunnelidiodilla. Ohjelma havaittiin toimivaksi mallintamalla resonanssitunnelidiodin virta-jännitekäyrä. Joissain tapauksissa törmättiin ongelmiin, jotka johtuivat mallin rajoituksesta huomioida vain elektronien sirontatilat ja jättää resonanssitilat huomiotta. |
ED: | 2004-01-14 |
INSSI tietueen numero: 21088
+ lisää koriin
INSSI