haku: @instructor Ronkainen, Hannu / yhteensä: 7
hakutulos-lista
viite: 1 / 7
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Ylivaara, Oili
Työn nimi:NMOS prosessin viivanleveyden kavennuksen evaluointi RF-sovelluksiin
Evaluation of NMOS process linewidth decrease for RF Applications
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2005
Sivut:ix + 56 s. + liitt. 12      Kieli:   fin
Koulu/Laitos/Osasto:Materiaalitekniikan osasto
Oppiaine:Metalli- ja materiaalioppi   (Mak-45)
Valvoja:Lehto, Ari
Ohjaaja:Ronkainen, Hannu
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark V80     | Arkisto
Avainsanat:gate linewidth
polycrystalline silicon
i-line photoresist
spacer process
NMOS
viivanleveys
monikiteinen pii
i-viivan fotoresisti
spacer-prosessi
Tiivistelmä (fin): Tässä työssä käsitellään NMOS-prosessin kannalta kriittisiä prosessivaiheita pyrittäessä kohti kapeampaa viivanleveyttä transistorin hilassa.
Erityisesti huomioitavia prosessivaiheita ovat hilan etsausprosessin tasaisuus, litografia vaiheet Ja spacer-prosessi.
Nämä yksittäiset prosessivaiheet optimoitiin 0,6 mikrometrin viivanleveydelle ja tuloksia käytettiin hyväksi prosessoitaessa NMOS 1,2 ja 1,0 mikrometrin viivanleveyksille.

Valmiista rakenteista mitatut tulokset vahvistavat, että prosessivaiheiden optimointi 0,6 mikrometrin viivanleveydelle on mahdollista.
Prosessilla tuotetut toimivat 1,2 ja 1,0 µm transistorit todistavat, että karakterisoidut kriittiset prosessivaiheet yhdistettyinä NMOS-prosessiin tuottavat toimivia komponentteja halutuilla parametreillä.
Suunnittelemalla käytetyt maskisarjat 0,6 mikrometrin viivanleveydelle on mahdollista tuottaa 0,6 mikrometrin komponentteja.
Tiivistelmä (eng): In this work critical process steps for NMOS transistor gate line width decrease are studied.
These are the uniformity of etching process of the gate, lithography steps and spacer processing.
These individual process steps were optimised for 0.6 -micrometer line width and the results were used for processing the NMOS transistors.
The NMOS process was carried out with line widths of 1.0 and 1.2 micrometers.

The results from critical process stages optimised for 0.6 -micrometer line width shows reproducible results.
Measurement results from 1.0 and 1.2 µm transistor show that the process that was optimised for 0.6 -micrometer line widths implemented to NMOS process lead to functional components.
By using the mask set designed for 0.6 -micrometer line widths it is possible to process 0.6 -micrometer devices.
ED:2005-04-04
INSSI tietueen numero: 28249
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI