haku: @instructor Ikonen, Juha / yhteensä: 7
viite: 4 / 7
Tekijä: | Virtanen, Jussi Maurits |
Työn nimi: | Specific contact resistivity of metal-graphene -junctions |
Kontaktiresistiivisyys metalli-grafeeni -liitoksissa | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2009 |
Sivut: | ix + 49 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Elektroniikan, tietoliikenteen ja automaation tiedekunta |
Oppiaine: | Optoelektroniikka (S-104) |
Valvoja: | Lipsanen, Harri |
Ohjaaja: | Riikonen, Juha |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | graphene ohmic contact Shockley transfer length Schottky barrier metal-semiconductor junction focused ion beam grafeeni ohminen kontakti Shockley TLM Schottky metalli-puolijohde-liitos keskitetty ionisuihku |
Tiivistelmä (fin): | Työssä tutkittiin eri metallien (Cr, Ti, Pd, Mo, Pt) ja grafeenin välisiä kontaktiresistiivien arvoja (pc). Valitut metallit ovat yleisesti käytössä grafeeniin perustuvissa komponenteissa. Kontaktiresistiivi mitattiin ensisijaisesti käyttämällä TLM (transfer length method) menetelmää, mutta saatuja arvoja verrattiin myös neljään kontaktiin perustuvaan resistiivisyyden mittauksen tuloksiin ja tässä työssä kehitettyyn matemaattiseen malliin, mikäli tämä oli mahdollista. Malli kehitettiin ottamaan huomioon grafeenihiutaleiden geometriset vaihtelut. Mekaanisesti kuoritut grafeenihiutaleet prosessoitiin perinteisillä puhdastilamenetelmillä ja metalloitiin elektronisuihkuhöyrystimellä tai keskitetyllä ionisuihkulla. Yksi referenssi näyte kuvioitiin myös käyttämällä elektronisuihkulitografiaa. Elektronisuihkulla höyrystetyt metallit, platinaa lukuun ottamatta, muodostivat ohmisen kontaktin ja täyttivät matalaohmisen liitoksen kriteerin (Pc < 10-6 koomegacm2). Kontaktiresistiivisyyden ei havaittu riippuvan grafeenin paksuudesta. Matalin kontaktiresistiivisyys Pc= 5.6 x 10-9 koomegacm2 mitattiin kromi-grafeeni -liitoksessa. Keskitetyn ionisuihkun huomattiin levittävän hienoa amorfista hiilipölyä näytteiden päälle platinakontakteja metalloitaessa. Kontaminaatiota ei pystytty poistamaan kahdella eri jälkikäsittelyllä. Lisäksi platinakontaktien mitatut neliöalan resistanssit olivat tuhatkertaisia verrattuna paksuun platinaan. |
ED: | 2009-07-17 |
INSSI tietueen numero: 38104
+ lisää koriin
INSSI