haku: @keyword fotonikide / yhteensä: 8
viite: 4 / 8
Tekijä: | Sihvonen, Olli |
Työn nimi: | Active photonic crystals in indium phosphide membrane |
Aktiivisia fotonikiteitä indiumfosfidikalvossa | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2006 |
Sivut: | 83 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto |
Oppiaine: | Optiikka ja molekyylimateriaalit (Tfy-125) |
Valvoja: | Kaivola, Matti |
Ohjaaja: | Mulot, Mikaël |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark TF80 | Arkisto |
Avainsanat: | photonic crystals indium phosphide photonic band edge spin-on-glass bonding heterostructure electron beam lithography plasma etcing fotonikide indiumfosfidi spin-on-glass bondaus heterorakenne elektronisuihkulitografia kuivaetsaus |
Tiivistelmä (fin): | Tässä työssä valmistettiin ja karakterisoitiin indiumfosfidikalvossa olevia aktiivisia fotonikiderakenteita. Tällaiset rakenteet tarjoavat mielenkiintoisen vaihtoehdon perinteisille pintaemittoiville pystykaviteeteille. Työssä kehitettiin spin-on-glass:n käyttöön liima-aineena perustuva kustannustehokas ja joustava sirutason menetelmä aktiivisen kvanttikaivorakenteen sisältävän indiumfosfidikalvon bondaamiseen piidioksidin päälle. Suunniteltu grafiitti-fotonikiderakenne optimoitiin tietokonesimulaatioiden avulla vertikaalista emissiota varten optiseen tietoliikenteeseen sopivalla aallonpituusalueella. Halkaisijaltaan 300 nm:n rei'istä koostuvan fotonikiderakenteen kuvioimiseen käytettiin elektronisuihkulitografiaa. Kehitysajan, resistin paksuuden sekä annoksen vaikutus reikien halkaisijaan sekä sivuprofiilin pystysuoruuteen määritettiin, ja optimaaliset parametrit esitetään. Resistiin kuvioitu rakenne siirrettiin piinitridimaskiin reaktiivista ionietsausta käyttäen. Induktiivisesti kytkettyä plasmaetsausta käytettiin indiumfosfidin etsaamiseen piinitridimaskin läpi. Etsausnopeudet ja selektiivisyydet määritettiin etsausaikojen sekä maski- ja resistikerroksen paksuuksien optimoimiseksi. Valmistettuja fotonikiderakenteita karakterisoitiin käyttäen fotoluminesenssi-menetelmää. Fotoluminesenssikuvaajissa havaittiin selkeitä resonanssipiikkejä aallonpituusalueella 1650-1700 nm vastaten valmistettujen rakenteiden simuloinnista saatuja tuloksia. Valon vahvistuminen perustuu fotonikiteen aikaansaamaan, laakeista fotonivöistä johtuvaan optisen tilatiheyden kasvuun. |
ED: | 2007-01-29 |
INSSI tietueen numero: 32973
+ lisää koriin
INSSI