haku: @supervisor Lehto, Ari / yhteensä: 9
hakutulos-lista
viite: 7 / 9
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Nieminen, Jami
Työn nimi:Piin valosähkökemiallinen syövytys alkaalisissa liuoksissa
Light-controlled electrochemical etching of silicon in alkaline solutions
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2004
Sivut:56      Kieli:   fin
Koulu/Laitos/Osasto:Materiaali- ja kalliotekniikan osasto
Oppiaine:Metalli- ja materiaalioppi   (Mak-45)
Valvoja:Lehto, Ari
Ohjaaja:Haimi, Eero
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark V80     | Arkisto
Avainsanat:silicon
photoelectrochemical etching
passivation
pii
valosähkökemiallinen syövytys
passivaatio
Tiivistelmä (fin): Työn teoriaosassa tarkastellaan puolijohteiden sähkökemiallisia ominaisuuksia sekä verrataan niitä metallien ominaisuuksiin.
Piin käyttäytymistä tarkastellaan ulkoisen jännitteen vaikuttaessa sekä fluoripitoisissa että alkalisissa liuoksissa.
Lisäksi tarkastellaan eri parametrien vaikutusta piin sähkökemiallisessa syövytyksessä KOH-liuoksessa.
Naita parametreja ovat KOH:n konsentraatio, lämpötila, piin seosainepitoisuus sekä jännitteen suuruus ja pyyhkäisynopeus.
Työn kannalta olennaisin parametri on valon intensiteetti.
Valon vaikutus piihin ja piin sähkökemialliseen syöpymiseen sekä sähkökemiallisen syövytyksen tärkein ilmiö, passivaatio, esitellään yksityiskohtaisesti.

Työn kokeellisessa osassa esitellään käytetyt koemateriaalit, koelaitteisto ja sen rakentaminen sekä mittausmenetelmät.
Kokeissa mitattiin polarisaatiokäyrät normaali- ja runsasseosteisille p-tyypin piikiekoille sekä pimeässä että valossa.
Mittaustulokset ja niiden tarkastelu esitellään kokeellisessa osassa.
Referenssinä käytetystä p-tyypin piistä saatuja tuloksia verrataan teoriaosassa esitettyihin viitteisiin ja p+ -tyypin tuloksista arvioidaan valon vaikutusta piin passivaatioon sähkökemiallisessa syövytyksessä.
Tuloksista todetaan näytteen valaisun siirtävän piin passivoitumista kohti positiivisempaa jännitettä sekä p- että p+ -tyypin piillä.
Lisäksi passivaation havaitaan tapahtuvan p+ -tyypin piillä huomattavasti laajemmalla jännitealueella kuin p-tyypin piillä.
Tiivistelmä (eng): In the theoretical part of this thesis, the electrochemical properties of semiconductors are considered and compared to those of metals.
I examine the behaviour of silicon in fluoride and alkaline solutions when external voltage is applied, and investigate different parameters affecting electrochemical etching of silicon in KOH solution.
Such parameters are concentration and temperature of the KOH solution, the doping level of the silicon and applied voltage and its sweeping rate.
The most important parameter is the intensity of the light.
I analyse the effect of illumination on silicon and on the electrochemical etching of silicon is, devoting particular attention to the most important phenomenon in electrochemical etching, passivation.

The experimental part of this thesis presents the test materials, the test equipment and its construction, and the measurement methods applied.
In the experiments, polarization curves were measured for normally and heavily doped p-type silicon wafers in the dark and under illumination.
The results of the normally doped samples, which were used for reference, are compared to the references presented in the theoretical part.
Based on the results of the heavily doped samples, I discuss the effect of illumination on passivation of silicon in electrochemical etching.
The results indicate that illumination switches the passivation of silicon to a more anodic direction for both normally and heavily doped p-type silicon.
The tests also showed that passivation occurs notably wider potential range in heavily doped silicon than in normally doped silicon.
ED:2004-11-05
INSSI tietueen numero: 26469
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI