haku: @keyword semiconductor / yhteensä: 9
viite: 3 / 9
Tekijä:Midili, Virginio
Työn nimi:Realization of a capacitance-voltage measurement system for semiconductor characterization
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2012
Sivut:viii + 71      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Mikro- ja nanotekniikan laitos
Oppiaine:Elektronifysiikka   (S-69)
Valvoja:Savin, Hele
Ohjaaja:Haarahiltunen, Antti
Elektroninen julkaisu: http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201303191826
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark Aalto  1193   | Arkisto
Avainsanat:electrical measurements
semiconductor
MOS
capacitance
ALD
oxide charge
interface trap density
proling
Tiivistelmä (eng): Capacitance-voltage (CV) measurements are used widely as an effective method for Metal-Insulator-Silicon structures (MIS) characterization.
They are electrical measurements able to provide several informations about semiconductor properties.
Physical parameters including average doping density, fixed and mobile oxide charges, doping profile and interface trap density can be determined from a single measurement.

In this work, a complete capacitance-voltage (CV) measurement system has been developed and implemented.
After initial testing it was employed as a valuable instrument for material research and semiconductors characterization.

Two different softwares were implemented for data acquisition and following analysis.A study of the precision and the sensitivity properties of the system is also presented.

Examples from the real measurements are discussed along with the main issues about the results interpretation and practical procedures.
In particular, some results concern the comparison of silicon oxide and atomic layer deposited (ALD) aluminum oxide devices measurements.
Finally, conclusions about correct sample preparation and contact fabrication are presented.

The difficulties and the different attempts during the development of the system are also presented as a starting point for future improvements.
ED:2013-03-13
INSSI tietueen numero: 45926
+ lisää koriin
INSSI