haku: @keyword LED / yhteensä: 94
hakutulos-lista
viite: 20 / 94
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Khan, Atif
Työn nimi:Establishment of an Angle Resolved Reflectometry Setup to Characterize GaN LED Structure
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2014
Sivut:x + 57      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Mikro- ja nanotekniikan laitos
Oppiaine:Micro and Nanotechnology   (S3010)
Valvoja:Lipsanen, Harri
Ohjaaja:Sopanen, Markku
Elektroninen julkaisu: http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201412043135
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark Aalto  2665   | Arkisto
Avainsanat:LED
GaN
quantum well
surface plasmons
silver grating
MOVPE
fourier imaging
reflectometry
fabry-perot interference
photoluminescence.
Tiivistelmä (eng):High quality, epitaxially grown GaN light emitting diode (LED) structure using metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) system is experimented in this report.
A single and thin InGaN quantum well (QW) with the emission peak at the wavelength of 475 nm is grown epitaxially into this heterostructure as the active region.
Next, a silver grating is formed on the heterostructure by electron beam lithography (EBL) and lift-off technique.
Afterwards, the fabricated device is characterized with photoluminescence (PL), atomic force microscopy (AFM) and scanning electron microscopy (SEM) to examine the device quality.

An angle resolved optical setup is designed and built based on Fourier optics.
For reflectometry operation, white light is incident on the sample at the grating side.
The reflected light forms a Fourier plane after passing through an objective lens.
This plane contains various reflection angles at different vertical positions.
Then it is focused at a monochromator entrance slit by using a Fourier lens.
The monochromator grating diffracts this Fourier image and finally angle vs. wavelength information is captured by a charge coupled device (CCD) camera, attached to the monochromator exit slit.

The CCD image exhibits Fabry-Perot interference arcs with no surface plasmon (SP) effect.
This obtained data is then compared to the MATLAB simulated interference arcs by superimposing on them.
Finally, the principle behind these obtained arcs are analyzed qualitatively to justify the instrumental performance.
ED:2014-12-21
INSSI tietueen numero: 50169
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI