haku: @author Saari, Ville / yhteensä: 4
viite: 4 / 4
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Saari, Ville |
Työn nimi: | Kaksiasteisen tehovahvistimen integrointi matkaviestinjärjestelmiin |
Integration of two-stage power amplifier for telecommunicationsystem | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2002 |
Sivut: | 83 Kieli: fin |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Piiritekniikka (S-87) |
Valvoja: | Halonen, Kari |
Ohjaaja: | Ryynänen, Jussi |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | integrated circuits power amplifier thermal instability nonlinearity radio frequency SiGe integroidut piirit tehovahvistin terminen epästabiilisuus lineaarisuus radiotaajuus SiGe |
Tiivistelmä (fin): | Kolmannen sukupolven matkaviestinjärjestelmät asettavat haasteita tehovahvistin- suunnitteluun, sillä ne vaativat lineaarisia tehovahvistimia vaihtuvaverhokäyräisestä modulaatiosta johtuen. Lisäksi integrointiasteen nostaminen vaatii käytetyltä teknologialta sellaisia ominaisuuksia, jotka mahdollistavat tulevaisuudessa sekä analogia- että digitaalilohkojen integroinnin samalle mikrosirulle. Tämän vuoksi diplomityössä prosessoitiin integroitu kaksiasteinen A-luokan tehovahvistin laajakaistaiseen koodijakojärjestelmään käyttäen 0,35 µm SiGe-BiCMOS -prosessia. Integroidun kaksiasteisen tehovahvistimen suunnittelussa kiinnitettiin erityistä huomiota tehovahvistimen mitoittamiseen optimoimalla eri asteiden suorituskyky. Työn alussa on käsitelty lyhyesti tehovahvistinteoriaa sekä esitelty järjestelmä, johon tehovahvistin on suunniteltu. Tehovahvistimen teoriaosuudessa on keskitytty erityyppisten bipolaaritransistorien termiseen epästabiilisuuteen sekä tehovahvistimen lineaarisuuteen ja linearisointimenetelmiin. Tämän jälkeen on esitetty työssä toteutetun tehovahvistimen mitoitus ja suunnittelu. Vahvistinasteiden välisovituksen suunnittelu on integroidun kaksiasteisen tehovahvistimen haastavimpia asioita. Mikrosiru ja piirilevy pyrittiin mallintamaan simulaattorissa mahdollisimman tarkasti, ja muun muassa mikrosirun parasiittiset kapasitanssit huomioitiin. Mikrosirun piirikuviosuunnittelussa otettiin huomioon, että tehovahvistimen tulosignaalin sekä ajuriasteen ja tehoasteen lähtösignaalien on oltava ortogonaalisia vahvistinasteiden keskinäiskytkeytymisten välttämiseksi. Tulon ja lähdön sovituspiireissä huomioitiin piirilevyn mikroliuskat, ja itse sovituspiirit asetettiin mahdollisimman lähelle mikrosirua. Lopuksi työssä on esitetty toteutetun kaksiasteisen tehovahvistimen mittaustulokset. |
ED: | 2002-05-02 |
INSSI tietueen numero: 18494
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI