haku: @keyword image sensor / yhteensä: 3
viite: 3 / 3
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Talonen, Mikko |
Työn nimi: | Pienen viivanleveyden CMOS kuvasensorit |
Small Linewidth CMOS Image Sensors | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2003 |
Sivut: | 60 Kieli: fin |
Koulu/Laitos/Osasto: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Oppiaine: | Piiritekniikka (S-87) |
Valvoja: | Halonen, Kari |
Ohjaaja: | Laiho, Mika |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | CMOS image sensor digital camera active pixel sensor APS photodiode CMOS kuva-anturi kuvasensori digitaalikamera aktiivipikselisensori APS fotodiodi |
Tiivistelmä (fin): | Diplomityössä käsitellään kuvasensorin toteuttamista modernilta CMOS prosessilla. Aluksi käsitellään elektronisen kuvantamisen perusteet ja miten CMOS prosessilla voidaan toteuttaa kuvasensori. Tämän jälkeen kuvataan tyypillisen CMOS kuvasensorin rakenne, toiminta ja saavutettavissa olevat suoritusarvot. Työstä saatua tietoa on tarkoitus soveltaa kuvasensorin integroimiseen samalle piirille kuvankäsittelyyn tarkoitetun rinnakkaisprosessorin kanssa. Tällaisella rakenteella voidaan saavuttaa erittäin tehokas kuvantamisratkaisu konenäkösovelluksiin. Työhön liittyen suunniteltiin ja toteutettiin 64x64 pikselin aktiivipikselisensori ja testirakenne erilaisten fotodiodien vertailemiseksi. Molemmat rakenteet prosessoitiin 0,18µm ja kuuden metallikerroksen digitaali CMOS prosessilla. Sensorilla saavutettiin kahden voltin käyttöjännitteellä 1,8V/lx/s herkkyys, 52dB dynaaminen alue ja parhaimmillaan 37dB signaalikohinasuhde. Testirakenteen mittauksista saatiin selville, että n-kaivo p-substraatti fotodiodin spektrisen kvanttihyötysuhteen huippu on 430nm kohdalla ja n-diffuusio p-substraatti diodin 525nm kohdalla. Lisäksi havaittiin n-diffuusio p-substraatti diodin herkkyyden olevan neljä kertaa huonompi kuin n-kaivo p-substraatti diodin. |
ED: | 2003-11-10 |
INSSI tietueen numero: 20102
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI