haku: @keyword light emitting diode / yhteensä: 9
viite: 5 / 9
Tekijä:Nykänen, Henri
Työn nimi:Design and fabrication of multi-pixel micro-LED array
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2009
Sivut:xii + 66      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Mikro- ja nanotekniikan laitos
Oppiaine:Optoelektroniikka   (S-104)
Valvoja:Sopanen, Markku
Ohjaaja:Törmä, Pekka
Digitoitu julkaisu: https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/96215
OEVS:
Digitoitu arkistokappale on julkaistu Aaltodocissa
Sijainti:P1 Ark S80     | Arkisto
Avainsanat:LED-array
GaN
light emitting diode
ICP-RIE
UV-LED
III-N semiconductors
LED-matriisi
valoa emittoiva diodi
III-N puolijohteet
Tiivistelmä (fin): Tässä työssä suunniteltiin ja valmistettiin valodiodimatriisi (LED-matriisi) rakenne käyttäen galliumnitridipohjaisia sinisellä ja ultraviolettialueella säteileviä MOVPE-menetelmällä kasvatettuja LED-alustoja.
Prosessin kulku suunniteltiin ja sen pohjalta piirrettiin fotomaskit litografiaa varten.
Maskien avulla valmistettiin lopulliset matriisit.

LED-matriisien valmistuksessa suurin kohdattu ongelma on valmistaa johtimet LED-harjanteiden yli niin, että johdin kulkee katkeamatta substraatilta harjanteen reunan yli.
Tällöin reuna ei voi olla pystysuora vaan sen tulee olla viisto.
Tämä saavutetaan käyttäen tietynlaista reaktiivista ionietsaus reseptiä.
Tämä resepti kuitenkin aiheuttaa etsatulle pinnalle ruohomaisen epätasaisen piikkirakenteen joka tekee lift-off metallikuvioinnista käytännössä mahdottoman toteuttaa.
Tähän ongelmaan on etsitty erilaisia ratkaisuja.

Lopullisiksi matriisien LED:ien säteiksi määriteltiin 50, 95 ja 160 µm.
Testimatriisit sisältävät 3x4 LED-pikseliä.
Yksittäisten pikselien sekä kokomatriisin todettiin toimivan yhtenäisesti.
Pinnan piikkirakenteen vaikutus ratkaistiin valmistamalla pintaa tasoittava kerros atomikerrospinnoitusmenetelmällä (ALD-menetelmällä).
Matriisin pikselien virta-jännite - ominaisuudet, ulostuloteho sekä säteilyspektri mitattiin.
ED:2009-03-16
INSSI tietueen numero: 36839
+ lisää koriin
INSSI