haku: @keyword A/D-muunnin / yhteensä: 9
viite: 4 / 9
Tekijä: | Kalanti, Antti |
Työn nimi: | The design of low-power, low-voltage continuous-time delta-sigma modulator |
Matalatehoisen ja matalakäyttöjännitteisen jatkuva-aikaisen delta-sigma modulaattorin suunnittelu | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2009 |
Sivut: | 94 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Elektroniikan, tietoliikenteen ja automaation tiedekunta |
Oppiaine: | Piiritekniikka (S-87) |
Valvoja: | Halonen, Kari |
Ohjaaja: | Snygg, Mikko |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark S80 | Arkisto |
Avainsanat: | integrated circuit continuous-time A/D-converter low-power delta-sigma low-voltage integroitu piiri jatkuva-aikainen A/D-muunnin matala tehonkulutus delta-sigma matala käyttöjännite |
Tiivistelmä (fin): | Tämä työ kuvaa matalatehoisen ja matalakäyttöjännitteisen toisen asteen jatkuva-aikaisen alipäästö-tyyppisen delta-sigma analogia-digitaali-modulaattorin suunnitteluprosessin. Modulaattorin signaalikaista on 10 kHz, käyttöjännitealue 1,1 V:sta 3,6 V:n ja lämpötila- alue on -40 °C to 85 cc. Tehonkulutus 1,1 V:n käyttöjännitteellä on tyypillisesti 60 pW. Koska silmukkasuodattimen siirtofunktio ei käytännössä muutu, jos ylinäytteistyssuhde muuttuu 64:stä 80:een, modulaattorin tarkkuutta voidaan säätää yhdellä bitillä. Suunniteltu modulaattori saavuttaa ennen piirikuvio-vaihetta 12 tehollista bittiä ylinäytteistyssuhteella 80 (1,6 MHz näytteistystaajuudella) ja 11 tehollista bittiä ylinäytteistyssuhteella 64 (1,28 MHz näytteistystaajuudella). Suunnitellun modulaattorin odotetaan saavuttavan suurillakin parasiittisilla kapasitansseilla ainakin 10 ja 11 tehollista bittiä ylinäytteistyssuhteilla 64 ja 80. Työ tehtiin Micro Analog Systems Oy:lle. Yhtiön taloudellisesta tilanteesta johtuen, työtä ei valitettavasti voinut jatkaa piirikaavio-vaiheesta piirikuvio-vaiheeseen. Työ suunniteltiin 0,35 pm:in Matalan-kynnysjännitteen CMOS prosessille. |
ED: | 2009-05-05 |
INSSI tietueen numero: 37362
+ lisää koriin
INSSI