haku: @keyword rajapinta / yhteensä: 24
viite: 8 / 24
Tekijä: | Vahermaa, Paula |
Työn nimi: | Characterisation and Design of Advanced Nanocrystalline Dye Solar Cells |
Väriaineherkistettyjen aurinkokennojen karakterisointi ja suunnittelu | |
Julkaisutyyppi: | Diplomityö |
Julkaisuvuosi: | 2009 |
Sivut: | 66 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Teknillisen fysiikan laitos |
Oppiaine: | Ydin- ja energiatekniikka (Tfy-56) |
Valvoja: | Lund, Peter |
Ohjaaja: | Halme, Janne |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark T80 | Arkisto |
Avainsanat: | dye solar cell interface equivalent circuit I-V curve impedance väriaineaurinkokenno rajapinta vastinpiiri IV-käyrä impedanssi |
Tiivistelmä (fin): | Työssä tutkitaan väriaineherkistettyjen aurinkokennojen mallintamista ja sovelletaan mallia väriainekennojen suunnitteluun. Perinteisten piiaurinkokennojen rinnalle kehitetyt väriaineaurinkokennot ovat potentiaalisesti halvempia ja helpompia valmistaa kuin puhdasta kiteistä piitä vaativat piikennot. Väriainekennoissa on kuitenkin vielä paljon kehitettävää ja myös niiden fysikaalisessa toimintaperiaatteessa riittää tutkittavaa. Aurinkokennoja voidaan kuvata erilaisilla sähköisillä vastinpiireillä. Virtajännitekäyrän eli IV-käyrän yhtälö johdetaan piikennoille lähtien yksinkertaisesta diodivastinpiiristä. Väriainekennoille tämä diodipiiri ei ole riittävä, joten niiden kuvaamiseen käytetään impedanssispektroskopiassa (EIS) käytettävää vastinpiiriä, jossa materiaalikerrosta kuvataan vastuksella ja rajapintaa vastuksen ja kondensaattorin rinnankytkennällä. Tässä työssä konstruoidaan väriainekennojen IV-käyrän yhtälö lähtien EIS-mallin vastinpiiristä. Rakennetun mallin avulla tutkitaan, kuinka eri suureet vaikuttavat väriainekennojen IV-käyrään ja hyötysuhteeseen. Tämän avulla saadaan tietoa siitä, mitkä materiaalien ominaisuudet vaikuttavat kennon toimintaan eniten ja millaiset materiaalit olisivat optimaalisia kennon eri osiksi. |
Tiivistelmä (eng): | In this thesis, an electrical model is developed for dye solar cells and the model is applied to the design of dye solar cells. Compared to traditional silicon solar cells, which demand crystalline silicon with high purity, dye solar cells are cost-effective and easy to manufacture. However, many improvements have to be made before dye solar cells can attain any market share and also the physics of dye solar cells needs further investigation. Solar cells can be modelled with electrical equivalent circuits. The current- voltage characteristics, that is the equation for the I-V curve, are derived for silicon solar cells from a simple diode equivalent circuit. For dye solar cells this diode circuit is not adequate, but the circuit used in electrochemical impedance measurements (EIS) is more appropriate. In EIS model, the interfaces are mod- elled with parallel connections of resistances and capacitances. In this thesis, the I-V curve of dye solar cells is constructed from the EIS equivalent circuit. With the obtained model, the effect of different cell parameters on the I-V curve and the efficiency of the cell is investigated. With this method it is possible to attain further information about which type of materials are most suitable as dye solar cell components and how the performance of dye solar cells can be optimised. |
ED: | 2009-07-21 |
INSSI tietueen numero: 38128
+ lisää koriin
INSSI