haku: @instructor Lahtinen, Tuomas / yhteensä: 4
viite: 4 / 4
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Martín Jiménez, Daniel |
Työn nimi: | Magnetoresistance of ferromagnetic-ferroelectric heterostructures |
Magnetoresistanssi ferromagneettis-ferroelektrisissä heterostruktuureissa | |
Julkaisutyyppi: | Final Project-työ |
Julkaisuvuosi: | 2011 |
Sivut: | 31 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Teknillisen fysiikan laitos |
Oppiaine: | Fysiikka (Tfy-3) |
Valvoja: | Dijken, Sebastiaan van |
Ohjaaja: | Lahtinen, Tuomas |
OEVS: | Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossaOppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa. Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/ Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.
Kirjautuminen asiakaskoneille
Opinnäytteen avaaminen
Opinnäytteen lukeminen
Opinnäytteen tulostus
|
Sijainti: | P1 Ark Aalto 11 | Arkisto |
Avainsanat: | ferromagnetic-ferroelectric heterostructures magnetoresistance magnetic domains |
Tiivistelmä (eng): | The magnetoresistance of ferromagnetic-ferroelectric heterostructures has been studied. In these structures, which consist of a single-crystal BaTiO3 substrate and a thin Co film, a well-defined ferroelectric stripe pattern is imprinted into the magnetic layer via interface strain transfer. As a result, the uniaxial magnetic anisotropy axis in neighboring domains rotates by 90° and the magnetic domain walls are strongly pinned onto the ferroelectric boundaries. At least two magnetoresistance effects can occur in these hybrid structures, namely anisotropic magnetoresistance and domain-wall magnetoresistance. To distinguish between these two contributions, four-point transport measurements were conducted with different electrical current and magnetic field directions. The results reveal a clear anisotropic magnetoresistance effect, but the resistance change due to spin transport through ferromagnetic domain walls is negligible. |
ED: | 2011-09-23 |
INSSI tietueen numero: 42803
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI