haku: @author Rasku, Topi / yhteensä: 2
viite: 2 / 2
« edellinen | seuraava »
Tekijä: | Rasku, Topi |
Työn nimi: | Computational Study of the Anion Antisite Defect and its Metastability in III-V Semiconductors |
Julkaisutyyppi: | Kandidaatintyƶ |
Julkaisuvuosi: | 2013 |
Sivut: | 24 Kieli: eng |
Koulu/Laitos/Osasto: | Perustieteiden korkeakoulu |
Koulutusohjelma: | Teknillisen fysiikan ja matematiikan koulutusohjelma |
Oppiaine: | Teknillinen fysiikka (F3005) |
Valvoja: | Puska, Martti |
Ohjaaja: | Virkkala, Ville |
Elektroninen julkaisu: | http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201309027653 |
Sijainti: | |
Avainsanat: | semiconductor antisite density functional theory computational |
ED: | 2013-12-02 |
INSSI tietueen numero: 47871
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI