haku: @instructor Huhtio, Teppo / yhteensä: 6
hakutulos-lista
viite: 4 / 6
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Su, Jie
Työn nimi:Optimization of ТЮ2 Thin Film Growth at Different Temperatures by Atomic Layer Deposition
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2011
Sivut:v + 52      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Mikro- ja nanotekniikan laitos
Oppiaine:Optoelektroniikka   (S-104)
Valvoja:Lipsanen, Harri
Ohjaaja:Huhtio, Teppo ; Bosund, Markus
Elektroninen julkaisu: http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201207022756
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark Aalto  1482   | Arkisto
Avainsanat:atomic layer deposition
titanium oxide
TiCl4
temperature
precursor pulsing
growth rate
uniformity
thickness variation
Tiivistelmä (eng): In this work TiO2 films were grown on silicon substrates by atomic layer deposition (ALD) using TiCl4 and H2O as precursors.
The effect of precursor pulse length and reaction temperature on the film growth rate and film uniformity was studied.
The film thickness and refractive indices were measured by ellipsometry.

The simulation of TiO2 growth with different TiCl4 pulsing lengths was carried out.
The results indicated that in an appropriate temperature range the growth rate and the uniformity are insensitive to a longer pulsing length.

In the temperature optimization experiment, TiO2 films with a small thickness variation of 1% - 4% and growth rate (0.4 Å - 0.5 Å/cycle) were obtained in the temperature range of 200 °C to 300 °C.
ED:2012-02-02
INSSI tietueen numero: 43904
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI