haku: @instructor Huhtio, Teppo / yhteensä: 6
hakutulos-lista
viite: 3 / 6
« edellinen | seuraava »
Tekijä:Kilpi, Olli-Pekka
Työn nimi:Planarization of Gallium Arsenide Nanowires
Galliumarsenidinanolankojen planarisointi
Julkaisutyyppi:Diplomityö
Julkaisuvuosi:2014
Sivut:viii + 67      Kieli:   eng
Koulu/Laitos/Osasto:Mikro- ja nanotekniikan laitos
Oppiaine:Mikro- ja nanotekniikka   (S3010)
Valvoja:Lipsanen, Harri
Ohjaaja:Huhtio, Teppo ; Haggrén, Tuomas
Elektroninen julkaisu: http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201411042993
OEVS:
Sähköinen arkistokappale on luettavissa Aalto Thesis Databasen kautta.
Ohje
sulje

Digitaalisten opinnäytteiden lukeminen Aalto-yliopiston Harald Herlin -oppimiskeskuksen suljetussa verkossa

Oppimiskeskuksen suljetussa verkossa voi lukea sellaisia digitaalisia ja digitoituja opinnäytteitä, joille ei ole saatu julkaisulupaa avoimessa verkossa.

Oppimiskeskuksen yhteystiedot ja aukioloajat: https://learningcentre.aalto.fi/fi/harald-herlin-oppimiskeskus/

Opinnäytteitä voi lukea Oppimiskeskuksen asiakaskoneilla, joita löytyy kaikista kerroksista.

Kirjautuminen asiakaskoneille

  • Aalto-yliopistolaiset kirjautuvat asiakaskoneille Aalto-tunnuksella ja salasanalla.
  • Muut asiakkaat kirjautuvat asiakaskoneille yhteistunnuksilla.

Opinnäytteen avaaminen

  • Asiakaskoneiden työpöydältä löytyy kuvake:

    Aalto Thesis Database

  • Kuvaketta klikkaamalla pääset hakemaan ja avaamaan etsimäsi opinnäytteen Aaltodoc-tietokannasta. Opinnäytetiedosto löytyy klikkaamalla viitetietojen OEV- tai OEVS-kentän linkkiä.

Opinnäytteen lukeminen

  • Opinnäytettä voi lukea asiakaskoneen ruudulta tai sen voi tulostaa paperille.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi tallentaa muistitikulle tai lähettää sähköpostilla.
  • Opinnäytetiedoston sisältöä ei voi kopioida.
  • Opinnäytetiedostoa ei voi muokata.

Opinnäytteen tulostus

  • Opinnäytteen voi tulostaa itselleen henkilökohtaiseen opiskelu- ja tutkimuskäyttöön.
  • Aalto-yliopiston opiskelijat ja henkilökunta voivat tulostaa mustavalkotulosteita Oppimiskeskuksen SecurePrint-laitteille, kun tietokoneelle kirjaudutaan omilla Aalto-tunnuksilla. Väritulostus on mahdollista asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Väritulostaminen on maksullista Aalto-yliopiston opiskelijoille ja henkilökunnalle.
  • Ulkopuoliset asiakkaat voivat tulostaa mustavalko- ja väritulosteita Oppimiskeskuksen asiakaspalvelupisteen tulostimelle u90203-psc3. Tulostaminen on maksullista.
Sijainti:P1 Ark Aalto  2406   | Arkisto
Avainsanat:nanowire
gallium arsenide
planarization
spin coating
spin-on glass
parylene
H-PDMS
nanolanka
galliumarsenidi
planarisointi
spin-on lasi
paryleeni
Tiivistelmä (fin):Tässä työssä planarisoitiin ja kontaktoitiin galliumarsenidinanolankarakenteita.
Näillä III-V -ryhmien puolijohteilla on monia optoelektroniikan ja elektroniikan sovellusten kannalta kiinnostavia ominaisuuksia.
Nanolankarakenteiden yksi ongelmista on niiden kontaktointi luotettavasti.
Pystysuorien nanolankarakenteiden kontaktoiminen vaatii eristävän ohutkalvon kasvattamista nanolankojen ja substraatin väliin.
Tätä menetelmää kutsutaan planarisoinniksi.

Työn tarkoituksena oli löytää sopivia materiaaleja erilaisten nanolankarakenteiden planarisointiin.
Tarkoituksena oli löytää materiaali, joka muodostaisi reiättömän ja halkeilemattoman ohutkalvon ilman että nanolankoja vahingoitetaan valmistuksen aikana.
Työssä planarisointiin käytettiin H-PDMS, paryleeni, SOG 111, SOG B512 ja Accuflo polymeerejä.
Rakenteita tutkittiin elektronipyyhkäisymikroskoopilla sekä optisilla ja virtajännitemittauksilla.

Huomattiin, että SOG B512 ja Accuflo muodostivat reiättömän ohutkalvon lankojen väliin, kun taas muissa polymeereissä havaittiin aukkoja ja halkeamia.
Accuflo kuitenkin tuhosi useita nanolankoja, joten B512:n todettiin olevan luotettavin materi-aali ja sen eristävyys varmennettiin virtajännitemittauksilla.
Tiivistelmä (eng):In this work gallium arsenide nanowire ensembles were planarized and contacted.
These group III-V semiconductor nanowires possess many interesting properties for optoelectronic and electronic devices.
However, their reliable integration to functional devices remains one of the major challenges.
Vertical integration of the nanowires can be done by fabricating an insulation layer between the top of the nanowires and the substrate before deposition of metal contacts.

The aim of this work was to find optimal filling materials for the planarization of different kinds of nanowire structures.
Nanowire samples with different diameter and length were used.
The aim was to find a material, which creates a void and crack free insulation layer without destroying the nanowires.
H-PDMS, parylene and three different polymers, SOG 111, SOG B512 and Accuflo from Honeywell, were used.
Structures were characterized by scanning electron microscope, current-voltage and optical measurements.

The results showed that B512 and Accuflo were good insulation layers, while other filling materials possessed cracks and voids.
In addition, Accuflo destroyed several nanowires, thus only B512 was observed to be a reliable planarization material.
Insulation of B512 was confirmed by current-voltage measurements.
ED:2014-11-09
INSSI tietueen numero: 50033
+ lisää koriin
« edellinen | seuraava »
INSSI