search query: @keyword Czochralski-grown silicon / total: 1
reference: 1 / 1
« previous | next »
Author: | Talvitie, Heli |
Title: | Transitiometallien vaikutus hapen erkautumiseen piissä |
Effect of transition metals on oxygen precipitation in silicon | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2007 |
Pages: | 57+19 Language: fin |
Department/School: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Main subject: | Elektronifysiikka (S-69) |
Supervisor: | Sinkkonen, Juha |
Instructor: | Haarahiltunen, Antti ; Yli-Koski, Marko |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark S80 | Archive |
Keywords: | Czochralski-grown silicon oxygen precipitation stacking faults transition metals FTIR Wright etch Czochralski-kasvatettu pii hapen erkautuminen pinousviat transitiometallit FTIR Wright-etsaus |
Abstract (fin): | Puolijohdekomponenttien dimensioiden pienentyessä puolijohdemateriaalin virheettömyys tulee yhä merkittävämmäksi. Yleisesti käytetyssä Czochralski-menetelmällä kasvatetussa piissä on epäpuhtautena happea, joka erkautuu lämpökäsittelyissä. Kiekon sisällä happierkaumat ja hapen erkautumisen aiheuttamat kidevirheet getteroivat prosessoinnin aikana piihin tulevia metallisia epäpuhtauksia ja tekevät pinnan IC-alueesta puhtaamman. MEMS-komponenteissa hapen erkautumisen aiheuttamat kidevirheet kuitenkin heikentävät märkäetsattujen pintojen laatua. Tässä työssä tutkittiin raudan ja kuparin vaikutusta hapen erkautumiseen, erkautuneen hapen määrään sekä kokonaisvirhetiheyteen ja pinousvikatiheyteen. Raudalla kontaminoiduille ja kontaminoimattomille kiekoille tehtiin hapen erkauttamiseksi kaksivaiheisia Iämpökäsittelyjä. Ensimmäisen, erkaumien ydintämiseksi tehdyn lämpökäsittelyn aikaa ja lämpötilaa muutettiin, toinen, erkaumien kasvattamiseksi tehty Iämpökäsittely pidettiin samana. Kuparikontaminoiduissa kiekoissa erkautettiin ensin kupari, minkä jälkeen niille tehtiin vastaavia hapenerkautuskäsittelyjä kuin rautakontaminaatiokokeissa. Kiekoista mitattiin metallikonsentraatio elinaikamittauksilla ja erkautuneen hapen määrä FTIR-spektroskopiamittauksilla. Lisäksi valikoiduista kiekoista määritettiin kokonaisvirhetiheys ja pinousvikatiheys tekemällä virhesyövytys Wright-etsillä. Erkautuneen hapen määrä ei rautakontaminoiduissa kiekoissa ollut suurempi verrattuna kontaminoimattomiin, mutta saman kaksivaiheisen lämpökäsittelyn kokeneisiin kiekkoihin, toisin kuin useimpien kirjallisuusviitteiden perusteella oletettiin. Virhesyövytystulosten mukaan rautakontaminaatio ei myöskään lisää kokonaisvirhetiheyttä tai pinousvikatiheyttä. Kuparierkaumienkaan ei havaittu vaikuttavan erkautuneen hapen määrään tai virhetiheyksiin. |
ED: | 2007-03-16 |
INSSI record number: 33285
+ add basket
« previous | next »
INSSI