search query: @instructor Putkonen, Matti / total: 10
reference: 9 / 10
Author: | Niinistö, Jaakko |
Title: | Uusien Y- ja La-lähdeaineiden soveltuus ALE-kasvatuksiin |
The applicability of novel Y- and La-precursors for ALE-depositions | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2001 |
Pages: | x + 101 Language: fin |
Department/School: | Kemian tekniikan osasto |
Main subject: | Epäorgaaninen kemia (Kem-35) |
Supervisor: | Kulmala, Sakari |
Instructor: | Putkonen, Matti |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark TKK 5071 | Archive |
Abstract (fin): | Kirjallisuusosassa selvitetään Y_(2)O_(3)- ja La_(2)O_(3)-ohutkalvojen valmistusta eri menetelmillä sekä esitellään lyhyesti menetelmien periaatteet. Fysikaalisista kaasufaasimenetelmistä on käsitelty elektronisuihkuhöyrystystä, pulssitettua laserkasvatusta, molekyylisuihkuepitaksiaa, sputterointia, ioniavustettua kasvatusta sekä ionisoitua klusterisuihkukasvatusta. Kemiallisista nestefaasimenetelmistä on selostettu tarkemmin vain Langmuir-Blodgett-menetelmää. Kemiallisista kaasufaasikasvatusmenetelmistä on käsitelty pyrolyysiä, kemiallista kaasufaasikasvatusta (CVD), organometallista CVD:a, plasma- ja katalyyttiavusteista CVD:a sekä atomikerrosepitaksiaa (ALE). Jokaisesta menetelmästä onkäsitelty sovelluksia Y_(2)O_(3)- ja La_(2)O_(3)-ohutkalvojen kasvatuksista erityisesti piisubstraateille. Kokeellisessa osassa valmistettiin Y_(2)O_(3)- ja La_(2)O_(3)-ohutkalvoja atomikerrosepitaksialla käyttämällä lähdeaineina organometallisia tris(syklopentadienyyli)yttriumia (Cp_(3)Y) ja -lantaania (Cp_(3)La) sekä tris(metyylisyklopentadienyyli)yttriumia (CpMe_(3)Y) ja -lantaania (CpMe_(3)La). Hapettimena käytettiin vettä. Vertailun suorittamiseksi valmistettiin myös oksidikalvoja yttrium- ja lantaani 2,2,6,6-tetrametyyli-3,5-heptaanidionilla (Y(thd)_(3) ja La(thd)_(3)) ja otsonilla. Y_(2)O_(3)-kalvojen kasvunopeuden lämpötilariippuvuutta CpMe_(3)Y:lla tutkittiin lämpötiloissa 175-450°C. ALE-ikkunassa (200-400°C) kasvunopeus Si(100)-substraatille oli 1,25- 1,35 Å/jakso. ALE-kasvu varmistettiin ja valmistusparametrit optimoitiin 300°C:n lämpötilassa. Kasvatetut kalvot olivat monikiteisiä ja stoikiometrisia. Morfologialtaan tasaisimmat kalvot kasvatettiin alle 250°C:ssa. Kasvunopeus piisubstraatille Cp_(3)Y-lähdeainetta käytettäessä oli 1,65-1,85 Å/jakso 250-400°C:n kasvatuslämpötilavälillä. Kummallakin lähdeaineella saavutettavat kalvojen kasvunopeudet olivat huomattavasti korkeammat kuin Y(thd)_(3):lla ja otsonilla kasvatettujen Y_(2)O_(3)-ohutkalvojen kasvunopeus. Lantaanioksidikalvoja pystyttiin valmistamaan CpMe_(3)La-lähdeaineella 165-175°C:n kasvatuslämpötiloissa, jolloin kasvunopeus oli 1,97 Å/jakso Kasvatetut lantaanioksidikalvot olivat monikiteisiä ja reagoivat ilman kanssa. Siitä huolimatta kalvojen havaittiin olevan morfologialtaan tasaisia. Toisaalta Cp_(3)La-lähdeaine hajoaa puolestaan jo hyvin lähellä höyrystymislämpötilaa, eikä lantaanioksidikalvojen kasvatus tällä lähdeaineella ollut mahdollista. |
ED: | 2001-03-13 |
INSSI record number: 16244
+ add basket
INSSI