search query: @instructor Putkonen, Matti / total: 10
reference: 9 / 10
« previous | next »
Author:Niinistö, Jaakko
Title:Uusien Y- ja La-lähdeaineiden soveltuus ALE-kasvatuksiin
The applicability of novel Y- and La-precursors for ALE-depositions
Publication type:Master's thesis
Publication year:2001
Pages:x + 101      Language:   fin
Department/School:Kemian tekniikan osasto
Main subject:Epäorgaaninen kemia   (Kem-35)
Supervisor:Kulmala, Sakari
Instructor:Putkonen, Matti
OEVS:
Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions

Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning Centre

In the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network.

The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/

You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.

Logging on to the customer computers

  • Aalto University staff members log on to the customer computer using the Aalto username and password.
  • Other customers log on using a shared username and password.

Opening a thesis

  • On the desktop of the customer computers, you will find an icon titled:

    Aalto Thesis Database

  • Click on the icon to search for and open the thesis you are looking for from Aaltodoc database. You can find the thesis file by clicking the link on the OEV or OEVS field.

Reading the thesis

  • You can either print the thesis or read it on the customer computer screen.
  • You cannot save the thesis file on a flash drive or email it.
  • You cannot copy text or images from the file.
  • You cannot edit the file.

Printing the thesis

  • You can print the thesis for your personal study or research use.
  • Aalto University students and staff members may print black-and-white prints on the PrintingPoint devices when using the computer with personal Aalto username and password. Color printing is possible using the printer u90203-psc3, which is located near the customer service. Color printing is subject to a charge to Aalto University students and staff members.
  • Other customers can use the printer u90203-psc3. All printing is subject to a charge to non-University members.
Location:P1 Ark TKK  5071   | Archive
Abstract (fin):Kirjallisuusosassa selvitetään Y_(2)O_(3)- ja La_(2)O_(3)-ohutkalvojen valmistusta eri menetelmillä sekä esitellään lyhyesti menetelmien periaatteet.
Fysikaalisista kaasufaasimenetelmistä on käsitelty elektronisuihkuhöyrystystä, pulssitettua laserkasvatusta, molekyylisuihkuepitaksiaa, sputterointia, ioniavustettua kasvatusta sekä ionisoitua klusterisuihkukasvatusta.
Kemiallisista nestefaasimenetelmistä on selostettu tarkemmin vain Langmuir-Blodgett-menetelmää.
Kemiallisista kaasufaasikasvatusmenetelmistä on käsitelty pyrolyysiä, kemiallista kaasufaasikasvatusta (CVD), organometallista CVD:a, plasma- ja katalyyttiavusteista CVD:a sekä atomikerrosepitaksiaa (ALE).
Jokaisesta menetelmästä onkäsitelty sovelluksia Y_(2)O_(3)- ja La_(2)O_(3)-ohutkalvojen kasvatuksista erityisesti piisubstraateille.

Kokeellisessa osassa valmistettiin Y_(2)O_(3)- ja La_(2)O_(3)-ohutkalvoja atomikerrosepitaksialla käyttämällä lähdeaineina organometallisia tris(syklopentadienyyli)yttriumia (Cp_(3)Y) ja -lantaania (Cp_(3)La) sekä tris(metyylisyklopentadienyyli)yttriumia (CpMe_(3)Y) ja -lantaania (CpMe_(3)La).
Hapettimena käytettiin vettä.
Vertailun suorittamiseksi valmistettiin myös oksidikalvoja yttrium- ja lantaani 2,2,6,6-tetrametyyli-3,5-heptaanidionilla (Y(thd)_(3) ja La(thd)_(3)) ja otsonilla.
Y_(2)O_(3)-kalvojen kasvunopeuden lämpötilariippuvuutta CpMe_(3)Y:lla tutkittiin lämpötiloissa 175-450°C.
ALE-ikkunassa (200-400°C) kasvunopeus Si(100)-substraatille oli 1,25- 1,35 Å/jakso.
ALE-kasvu varmistettiin ja valmistusparametrit optimoitiin 300°C:n lämpötilassa.
Kasvatetut kalvot olivat monikiteisiä ja stoikiometrisia.
Morfologialtaan tasaisimmat kalvot kasvatettiin alle 250°C:ssa.
Kasvunopeus piisubstraatille Cp_(3)Y-lähdeainetta käytettäessä oli 1,65-1,85 Å/jakso 250-400°C:n kasvatuslämpötilavälillä.
Kummallakin lähdeaineella saavutettavat kalvojen kasvunopeudet olivat huomattavasti korkeammat kuin Y(thd)_(3):lla ja otsonilla kasvatettujen Y_(2)O_(3)-ohutkalvojen kasvunopeus.
Lantaanioksidikalvoja pystyttiin valmistamaan CpMe_(3)La-lähdeaineella 165-175°C:n kasvatuslämpötiloissa, jolloin kasvunopeus oli 1,97 Å/jakso Kasvatetut lantaanioksidikalvot olivat monikiteisiä ja reagoivat ilman kanssa.
Siitä huolimatta kalvojen havaittiin olevan morfologialtaan tasaisia.
Toisaalta Cp_(3)La-lähdeaine hajoaa puolestaan jo hyvin lähellä höyrystymislämpötilaa, eikä lantaanioksidikalvojen kasvatus tällä lähdeaineella ollut mahdollista.
ED:2001-03-13
INSSI record number: 16244
+ add basket
« previous | next »
INSSI