search query: @instructor Nieminen, Minna / total: 10
reference: 7 / 10
« previous | next »
Author:Harju, Maija
Title:Uusien mangaanilähdeaineiden soveltuvuus oksidiohutkalvojen atomikerroskasvatukseen
The applicability of novel manganese procursors for atomic layer deposition of oxide thin films
Publication type:Master's thesis
Publication year:2005
Pages:ix + 83      Language:   fin
Department/School:Kemian tekniikan osasto
Main subject:Epäorgaaninen kemia   (Kem-35)
Supervisor:Niinistö, Lauri
Instructor:Nieminen, Minna ; Putkonen, Matti
OEVS:
Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions

Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning Centre

In the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network.

The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/

You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.

Logging on to the customer computers

  • Aalto University staff members log on to the customer computer using the Aalto username and password.
  • Other customers log on using a shared username and password.

Opening a thesis

  • On the desktop of the customer computers, you will find an icon titled:

    Aalto Thesis Database

  • Click on the icon to search for and open the thesis you are looking for from Aaltodoc database. You can find the thesis file by clicking the link on the OEV or OEVS field.

Reading the thesis

  • You can either print the thesis or read it on the customer computer screen.
  • You cannot save the thesis file on a flash drive or email it.
  • You cannot copy text or images from the file.
  • You cannot edit the file.

Printing the thesis

  • You can print the thesis for your personal study or research use.
  • Aalto University students and staff members may print black-and-white prints on the PrintingPoint devices when using the computer with personal Aalto username and password. Color printing is possible using the printer u90203-psc3, which is located near the customer service. Color printing is subject to a charge to Aalto University students and staff members.
  • Other customers can use the printer u90203-psc3. All printing is subject to a charge to non-University members.
Location:P1 Ark TKK  4846   | Archive
Abstract (fin): Kirjallisuusosassa on käsitelty binääristen mangaanioksidiohutkalvojen kasvatusta atomikerroskasvatuksella, kemiallisella kaasufaasikasvatuksella, fysikaalisilla kaasufaasimenetelmillä ja kemiallisilla liuosmenetelmillä.
Lisäksi on tarkasteltu kasvatuslämpötilan, substraatin, lähdeaineiden ja lämpökäsittelyjen vaikutusta binääristen mangaanioksidiohutkalvojen kiteytymiseen.
Kirjallisuusosassa on esitelty myös erilaisten mangaania sisältävien ohutkalvojen sovelluskohteita.

Kokeellisessa osassa kasvatettiin binäärisiä mangaanioksidiohutkalvoja atomikerroskasvatuksella (ALD) uusista mangaanilähdeaineista.
Tutkitut lähdeaineet olivat disyklopentadienyylimangaani, Cp2Mn, bis(etyylisyklopentadienyyli)mangaani, (EtCp)2Mn, bis(isopropyylisyklopentadienyyli)mangaani, (i-PrCp)2Mn, dimangaanidekakarbonyyli, Mn2(CO)10, ja trikarbonyyli(metyylisyklopentadienyyli)mangaani, TCMn.
Hapettimena käytettiin joko vettä tai otsonia.
Kasvatettujen ohutkalvojen paksuutta tutkittiin mallintamalla ohutkalvoista mitattuja läpäisy- ja heijastusspektrejä.
Ohutkalvojen kiteisyyttä ja kiteisten faasien stoikiometriaa tutkittiin röntgendiffraktiolla.
Binääristen mangaanioksidiohutkalvojen lisäksi tutkittiin ternääristen yttriummangaanioksidien kasvua käyttäen tunnettuja lähdeaineita, mangaanin ja yttriumin 2,2,6,6-tetrametyyli-3,5-heptaani- dionaattiyhdisteitä (thd) sekä otsonia.

Tutkitut mangaanilähdeaineet hajosivat suhteellisen matalissa lämpötiloissa.
Cp2Mn hajosi 110 - 140 °C:ssa, (EtCp)2Mn 90 °C:ssa, (i-PrCp)2Mn 80 °C:ssa, Mn2(CO)10 190 °C:ssa ja TCMn 300 °C:ssa.
Kasvatuksissa ei havaittu ohutkalvon ALD-tyyppistä pinnan kontrolloimaa kasvua.
Cp2Mn:lla, (EtCp)2Mn:lla ja (i-PrCp)2Mn:lla kasvatettujen ohutkalvojen kasvunopeudet olivat 1,2-1,7 Å/jakso, kun kasvatuslämpötila oli 80-100 °C.
Mn2(CO)10:lla 200 °C:ssa kasvatettujen ohutkalvojen kasvunopeus oli 0,6 Å/jakso.
Yttriummangaanioksidiohutkalvon kasvatuksessa Mn(thd)3:lla, Y(thd)3:lla ja otsonilla 200 °C:ssa ei saatu lainkaan ohutkalvoa.

Kaikki Cp2Mn:lla, (EtCp)2Mn:lla, (i-PrCp)2Mn:lla tai Mn2(CO)10:lla ja vedellä kasvatetut ohutkalvot kiteytyivät MnO:na.
Todennäköisesti heikon hapettimen käyttö edisti mangaanioksidin kiteytymistä mangaanin matalalla hapetusasteella +2.
TCMn:n kanssa käytettiin voimakkaampaa hapetinta, otsonia, ja kasvatetut kalvot kiteytyivät neljän- tai kolmenarvoisen mangaanin oksideina. 100 - 225 °C:ssa kasvatetut ohutkalvot kiteytyivät beta-MnO2:na tai beta'-MnO2:na, mutta 300 °C:ssa kasvatetun ohutkalvon kiderakennetta ei voitu määrittää yksiselitteisesti.
Todennäköisesti muodostunut faasi oli erilaisten Mn203-faasien seos.
ED:2006-01-11
INSSI record number: 30476
+ add basket
« previous | next »
INSSI