search query: @supervisor Porra, Veikko / total: 107
reference: 8 / 107
Author: | Saijets, Jan |
Title: | NMOS Transistor Modeling At Radio Frequencies |
NMOS transistorimallitus radiotaajuuksilla | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 1998 |
Pages: | 64 Language: eng |
Department/School: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Main subject: | Piiritekniikka (S-87) |
Supervisor: | Porra, Veikko |
Instructor: | |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark S80 | Archive |
Keywords: | modeling radio frequency MOS MSOFET CMOS mallitus radiotaajuus RF MOS Model 9 MOS9 BSIM3 BSIM3v3 |
Abstract (fin): | Diplomityössä on tutkittu kahden (2) MOS mallin, MOS Model 9 ja BSIM3v3:n, tarkkuutta radiotaajuuksilla (RF) vertailemalla S-parametrien simulointeja mittaustuloksiin, kun transistorit on kytketty kaksiportiksi. Täydellinen joukko transistoreita MOSFET karakterisointiin valmistettiin VTT 0.8 mikrometrin BiC-MOS ja AMS 0.8 mikrometrin CMOS teknologialla. Molemmille teknologioille ja malleille tehtiin DC ja AC ekstraktointi käyttämällä APLAC-simulaattoria ja sen kuvauskielellä tehtyjä ohjelmia. AC ekstraktointi tehtiin sovittamalla S-parametrejä 300 MHz - 10 GHz:n taajuusalueella. MOS Model 9:n DC-malli osoittautui vähän tarkemmaksi, jolloin myös suurtaajuusominaisuudet - S-parametrien S_21 ja S_22 sovitukset - olivat jonkun verran paremmat kuin BSIM3v3:ssa. Siinä puolestaan AC malli oli parempi, joka kompensoi DC sovituksen tarkkuuden puutetta, sovittaen S-parametrit S_11 ja S_12 paremmin kuin MOS Model9 -malli. RF-ominaisuudet olivat kummallakin mallilla käytännössä yhtä hyvät. |
ED: | 1998-07-21 |
INSSI record number: 13440
+ add basket
INSSI