search query: @keyword GaN / total: 11
reference: 11 / 11
« previous | next »
Author: | Kivioja, Jani |
Title: | GaN:ssä sekä AIGaN:ssä esiintyvien hilavirheiden tutkiminen positroniannihilaatiospektroskopialla |
Defects in GaN and AlGaN Studied by Positron Annihilation Spectroscopy | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2000 |
Pages: | 105 Language: fin |
Department/School: | Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto |
Main subject: | Fysiikka (Tfy-3) |
Supervisor: | Saarinen, Kimmo |
Instructor: | Oila, Juha |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark TF80 | Archive |
Keywords: | positron spectroscopy point defect DX center positronispektroskopia GaN AlGaN hilavirhe DX-keskus |
Abstract (fin): | Työssä tutkittiin GaN- ja AlGaN-ohutkalvonäytteissä esiintyviä hilavirheitä positroniannihilaatiospektroskopialla. Työssä käytettiin TKK:n Fysiikan laboratorion kahta hitaiden positronien suihkua ja positronien elinaikamittalaitteistoa. Työssä mitattiin positronien keskimääräinen elinaika kahdessa HVPE-kasvatetussa GaN-ohutkalvonäytteessä. Vapaan positronin elinajaksi GaN-hilassa saatiin 156 ps ja galliumvakanssiin loukkuuntuneen positronin elinajaksi 235 ps. Nämä ovat samat kuin aiemmin tutkituissa erilliskiteissä. Näytteiden ei havaittu sisältävän Ga-vakanssien lisäksi muita positroneja loukkuunnuttavia virheitä. Positronin loukkuuntumiskertoimen lämpötilariippuvuus määritettiin elinaikamittausten perusteella. Loukkuuntumiskertoimen havaittiin noudattavan T[1/2]-lämpötilariippuvuutta, mikä osoittaa galliumvakanssin olevan negatiivisesti varautunut. Mitattujen GaN-näytteiden dislokaatio- ja epäpuhtaustiheyden oli mitattu olevan suurempi lähellä substraatin ja ohutkalvon välistä rajapintaa. Mittauksissa havaittiin myös vakanssikonsentraation suurenevan, kun etäisyys GaN/Al_(2)O_(3)-rajapintaan pieneni. Galliumvakanssin ja happiepäpuhtausatomin muodostaman (V_(Ga)-O_(N))-virhekompleksin muodostumisenergia on pienempi kuin yksittäisen Ga-vakanssin. Työssä tutkittiin Ga-vakanssia ympäröivien atomien elektronien liikemääräjakaumaa. Tulosten perusteella saatiin viitteitä (V_(Ga)-O_(N))-kompleksin muodostumisesta paljon happea sisältävissä näytteissä. Tutkituissa AlGaN-näytteissä oli aiemmin havaittu DX-hilavirhe. Tätä kuvaavan atomimallin mukaan DX-keskukseen liittyy voimakas hilarelaksaatio, jonka seurauksena hilaan syntyy vakanssin tyyppinen hilavirhe. DX-keskus on mahdollista virittää joko sopivalla valolla tai termisesti, jolloin virheeseen liittyvän tyhjän tilan tulee mallin mukaan kadota. Mittauksissa pyrittiin selvittämään, voidaanko tätä havaita positronien avulla. Työssä ei kuitenkaan saatu selkeää todistetta positronien loukkuuntumisesta DX-virheisiin. |
ED: | 2000-10-26 |
INSSI record number: 15886
+ add basket
« previous | next »
INSSI