search query: @keyword MOS / total: 12
reference: 9 / 12
Author: | Kallio, Eeva |
Title: | Electrical characterization of thin ALCVD grown high K oxides |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 1999 |
Pages: | 71 Language: eng |
Department/School: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Main subject: | Elektronifysiikka (S-69) |
Supervisor: | Kuivalainen, Pekka |
Instructor: | |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark S80 | Archive |
Keywords: | gate oxide high K MOS MIS C-V measurement ALCVD |
Abstract (fin): | Työn teoriaosassa on käsitelty lyhyesti MIS-rakenteen käyttäytymistä eri jännitealueilla, oksidin ja rajapinnan varauksia, sekä oksidin vuotovirta- ja läpilyöntimekanismeja. Kirjallisuuskatsaus korkean permittiivisyyden oksideista muodosti suuren osan työstä. Huomio keskitettiin piisubstraatille kasvatettuihin alle 100 nm oksideihin, jotka oli karakterisoitu sähköisin mittauksin. Käsitellyt oksidit olivat alumiinioksidi Al_(2)O_(3), ceriumdioksidi CeO_(2), hafniumdioksidi HfO_(2), tantaalioksidi Ta_(2)O_(5), titaanidioksidi TiO_(2), yttriumoksidi Y_(2)O_(3) ja zirkoniumdioksidi ZrO_(2). Lisäksi luvun lopussa on esitelty muutamia sekaoksideja ja kerrostettuja oksidirakenteita. Työn kokeellisessa osassa kasvatettiin ALCVD-menetelmällä (atomic layer chemical vapor deposition) eri oksidimateriaaleja (Al_(2)O_(3), ZrO_(2), Y_(2)O_(3), ZrAlO_(x), ZrTaO_(x) ja ZrYO_(x)) n-tyyppiselle piisubstraatille ja karakterisoitiin näytteiden sähköiset ominaisuudet kapasitanssi-jännite- ja virta-jännite -mittauksin. Ohuimmat valmistetuista kalvoista olivat 5 nm luokkaa. Mittaustuloksissa havaittiin selvästi permittiivisyyden riippuvan oksidin paksuudesta Alumiinioksidilla permittiivisyys saavutti bulk-arvon jo suhteellisen ohuilla kalvoilla, mutta zirkoniumdioksidin permittiivisyyden riippuvuus oksidin paksuudesta oli lineaarinen, eikä saturoitumista ollut havaittavissa. Ongelmaksi muodostui piisubstraatin natiivioksidi, joka pienensi MIS-rakenteen kapasitanssia Natiivioksidia yritettiin poistaa ennen kasvatusta, mutta mittaustuloksista päätellen oksidi kasvoi ainakin osittain piin rajapintaan takaisin. |
ED: | 1999-06-03 |
INSSI record number: 14333
+ add basket
INSSI