search query: @supervisor Tulkki, Jukka / total: 13
reference: 12 / 13
Author: | Prunnila, Mika |
Title: | Low-dimensional Silicon Structures on SOI Substrate |
Yksi- ja kaksiulotteiset piirakenteet SOI substraatilla | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 1999 |
Pages: | 77 Language: eng |
Department/School: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Main subject: | Laskennallinen tekniikka (S-114) |
Supervisor: | Tulkki, Jukka |
Instructor: | Ahopelto, Jouni |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark S80 | Archive |
Keywords: | SOI MOS quantum point contact Hall-effect weak localization kvanttipistekontakti Hall ilmiö heikko lokalisaatio |
Abstract (fin): | Tässä diplomityössä käsitellään piikvanttipistekontaktien ja Hall-tankojen valmistusta sekä näiden sähköisiä ominaisuuksia. Näytteet on valmistettu SOI-kiekolle (Silicon-On-Insulator). Valmistusprosessissa käytettiin CMOS-piirien valmistusmenetelmiä sekä elektronisuihkulitografiaa. Elektronisuihkulitografialla kuvioitiin kvanttipistekontaktien kavennukset. TEM analyysin sekä AFM kuvien perusteella kavennusten efektiivinen halkaisija oli noin 30-40 nm. SOI-kerroksen sähköiset ominaisuudet saatiin Hall-mittauksista. Näiden mittausten perusteella 60 nm paksussa SOI kerroksessa elektronien liikkuvuus ok 9000 cm[2]/Vs 10 K lämpötilassa. Heikko lokalisaatio ilmiön perusteella pystyttiin määräämään elektronien vaihe-relaksaatio matka. Pienen kentän Hall-mittausten avulla 4.2 K lämpötilassa vaihe-relaksaatiomatkan arvioitiin olevan luokkaa 500 nm. Kvanttipiste kontaktin konduktanssissa oli nähtävissä porrasmaista rakennetta 1.5 K lämpötilassa. Kun lämpötila laskettiin 200 mK:iin, konduktanssissa nähtiin UCF fluktuaatioita (Universal Conductance Fluctuations). |
ED: | 1999-12-20 |
INSSI record number: 15004
+ add basket
INSSI