search query: @instructor Mallat, Juha / total: 15
reference: 12 / 15
Author: | Kiuru, Tero |
Title: | Characterisation and modelling of Schottky and Gunn diodes for mm-wave applications |
Schottky- ja Gunn-diodien karakterisointi ja mallinnus millimetriaaltosovelluksia varten | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2006 |
Pages: | 87 Language: eng |
Department/School: | Sähkö- ja tietoliikennetekniikan osasto |
Main subject: | Radiotekniikka (S-26) |
Supervisor: | Räisänen, Antti |
Instructor: | Mallat, Juha |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark S80 | Archive |
Keywords: | Schottky diode Gunn diode millimeter waves diode equivalent circuit Schottky-diodi Gunn-diodi millimetriaallot diodin sijaiskytkentä |
Abstract (fin): | Tässä diplomityössä on kehitetty sijaiskytkentä kolmelle erilaiselle Schottkysekoitindiodille ja ruuvipakkaukseen integroidulle Gunn-diodille. Sijaiskytkennät on suunniteltu toimimaan kaupallisissa piirisimulaattoreissa. Schottky- ja Gunndiodit on suunniteltu toimimaan millimetriaaltoalueella. Työn ensimmäisessä osassa Schottky-diodin toimintaa ja ominaisuuksia on tutkittu kattavin mittauksin. Sijaiskytkennän komponenttien arvot on saatu teoreettisten laskelmien ja piirisimulaattorin optimointimenetelmien avulla. Sijaiskytkennän toiminta sekoitinpiirissä on osoitettu. Fysikaalinen perusta Schottky-diodin toiminnalle ja kirjallisuuskatsaus Schottky-diodeista on esitetty. Työn jälkimmäisessä osassa on tutkittu pakatun Gunn-diodin taajuusvastetta sähkömagneettisen 3D-simulaattorin avulla. Gunn-diodin pakkauksen reaktiiviset elementit on selvitetty piirisimulaattorin optimointimenetelmien avulla ja sijaiskytkentä pakatulle Gunn-diodille on kehitetty. Gunn-diodien ja Gunnoskillaattoreiden teoreettinen perusta on esitetty. |
ED: | 2006-09-19 |
INSSI record number: 32381
+ add basket
INSSI