search query: @supervisor Saarinen, Kimmo / total: 16
reference: 2 / 16
« previous | next »
Author:Pursula, Eeva
Title:Lateral Field Effect Devices for Room Temperature Silicon Nanoelectronics
Sivusuuntaiseen kenttävaikutukseen perustuvat piipohjaiset huoneenlämpötilan nanoelektroniikkakomponentit
Publication type:Master's thesis
Publication year:2005
Pages:iv + 72 s. + liitt. 6      Language:   eng
Department/School:Teknillisen fysiikan ja matematiikan osasto
Main subject:Fysiikka   (Tfy-3)
Supervisor:Saarinen, Kimmo
Instructor:Ahopelto, Jouni
OEVS:
Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions

Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning Centre

In the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network.

The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/

You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.

Logging on to the customer computers

  • Aalto University staff members log on to the customer computer using the Aalto username and password.
  • Other customers log on using a shared username and password.

Opening a thesis

  • On the desktop of the customer computers, you will find an icon titled:

    Aalto Thesis Database

  • Click on the icon to search for and open the thesis you are looking for from Aaltodoc database. You can find the thesis file by clicking the link on the OEV or OEVS field.

Reading the thesis

  • You can either print the thesis or read it on the customer computer screen.
  • You cannot save the thesis file on a flash drive or email it.
  • You cannot copy text or images from the file.
  • You cannot edit the file.

Printing the thesis

  • You can print the thesis for your personal study or research use.
  • Aalto University students and staff members may print black-and-white prints on the PrintingPoint devices when using the computer with personal Aalto username and password. Color printing is possible using the printer u90203-psc3, which is located near the customer service. Color printing is subject to a charge to Aalto University students and staff members.
  • Other customers can use the printer u90203-psc3. All printing is subject to a charge to non-University members.
Location:P1 Ark TF80     | Archive
Keywords:SSD
field effect devices
nanoelectronics
SSD
kenttävaikutuskomponentit
nanoelektroniikka
Abstract (fin): Huoneenlämpötilassa toimiville nanokomponenteille kehitettiin SOI-kiekkoihin perustuva valmistusprosessi.
Pohjana käytettiin aikaisemmin kehitettyä IC-prosessia.
Komponentit kuvioitiin elektronisuihkulitografialla, jota seuraavassa Cl2-plasmaetsauksessa käytettiin SiO2-kovamaskia pystysuorien seinämien aikaansaamiseksi 50 nm leveisiin rakoihin.

Komponentit perustuvat MOSFETin toimintaan.
Hilajännite muokkaa kanavan vyörakennetta joko sallien tai estäen komponentin läpi kulkevan virran.
Komponenttigeometriasta johtuen virtaa ei kulje ilman hilajännitettä, joten pn-liitoksia ei tarvita.

Transistorien (FET) lisäksi valmistettiin ohueen SOI kerrokseen etsattuun epäsymmetriseen kanavaan perustuvia nanokytkimiä (SSD, nielujännite toimii myös hilajännitteenä), joiden I-V-käyrä on vastaavanlainen kuin diodilla.
Näitä komponentteja käyttäen valmistettiin mittausten ja simulaatioiden pohjalta loogisia portteja.
Etuna perinteisiin piireihin nähden on, ettei yksittäisten komponenttien välisiin kytkentöihin tarvita ylempien kerrosten kautta kulkevia langoituksia.
Tutkittiin piin seostuksen ja komponenttigeometrian muutosten vaikutuksia komponenttien virta-jännite-käyttäytymiseen.

Komponenttien ominaisuuksia parannettiin seostuksen avulla.
Seostusatomien käyttäytyminen Si-SiO2-rajapinnalla pienentää kanava-alueen efektiivistä seostusta.
Tämä lisää kanavan vastusta kuljetuksen perustuessa aukkojen liikkeeseen, mikä parantaa kanavan jänniteohjausta.

Työn perusteella sivusuuntaiseen kenttävaikutukseen perustuvia kapeakanavaisia (noin 50 nm) ja noin 1 µm pituisia komponentteja voidaan käyttää diodeina ja transistoreina huoneenlämpötilassa.
Myös niiden käyttö monimutkaisempien tiedonkäsittely-yksiköiden rakentamiseen vaikuttaa mahdolliselta.
ED:2005-05-04
INSSI record number: 28754
+ add basket
« previous | next »
INSSI