search query: @keyword kvanttipiste / total: 18
reference: 5 / 18
Author: | Jussila, Henri |
Title: | Fabrication of Indium Arsenide Quantum Dot Structure for Semiconductor Optical Ampliers |
Indiumarsenidikvanttipisterakenteen valmistaminen optiseen puolijohdevahvistimeen | |
Publication type: | Master's thesis |
Publication year: | 2010 |
Pages: | [7] + 41 Language: eng |
Department/School: | Mikro- ja nanotekniikan laitos |
Main subject: | Optoelektroniikka (S-104) |
Supervisor: | Sopanen, Markku |
Instructor: | Hakkarainen, Teppo ; Aierken, Abuduwayiti |
Electronic version URL: | http://urn.fi/URN:NBN:fi:aalto-201203131428 |
OEVS: | Electronic archive copy is available via Aalto Thesis Database.
Instructions Reading digital theses in the closed network of the Aalto University Harald Herlin Learning CentreIn the closed network of Learning Centre you can read digital and digitized theses not available in the open network. The Learning Centre contact details and opening hours: https://learningcentre.aalto.fi/en/harald-herlin-learning-centre/ You can read theses on the Learning Centre customer computers, which are available on all floors.
Logging on to the customer computers
Opening a thesis
Reading the thesis
Printing the thesis
|
Location: | P1 Ark Aalto 822 | Archive |
Keywords: | indium phosphide indium arsenide indium gallium arsenide phosphide quantum dot semiconductor optical amplier metalorganic vapor phase epitaxy indiumarsenidi indiumfosdi indiumgalliumarsenidifosdi kvanttipiste optinen puolijohdevahvistin metallo-organinen kaasufaasiepitksia |
Abstract (eng): | In this thesis, the properties of self-assembled InAs/InGaAsP/InP quantum dots (QD) have been investigated. The focus of this work was to fabricate such a structure that can be used in a telecommunication wavelength semiconductor optical amplifier (SOA). The examined InAs QD samples were fabricated by metalorganic vapor-phase epitaxy technique. Photoluminescence (PL) and atomic force microscopy (AFM) were used in the characterization of the optical and the structural properties of the samples, respectively. InAs island size and the areal density was first optimized for SOAs by growing self-assembled InAs islands directly on InP. These results were used to finalize the structure containing also InGaAsP waveguide layer. The AFM results of the final structure show that InAs islands were grown quite homogenously on InGaAsP with an average height of 10 nm and an average base diameter of 30 nm. The low temperature PL peak of InAs/InGaAsP/InP quantum dots was tuned to 1.56 µm wavelength. |
Abstract (fin): | Tämä diplomityö tutkii itseorganisoidusti valmistettuja InAs kvanttipisteitä InGaAsP:n ja InP päällä. Työn tavoitteena on ollut sellaisen kvanttipisterakenteen valmistaminen, joka soveltuu optiseen puolijohdevahvistimeen (SOA) tietoliikenneaallonpituuksilla. Työtä varten valmistettiin InAskvanttipistenäytteitä metallo-organisella kaasufaasiepitaksialla. Työn näytteet karakterisoitiin fotoluminesenssi- ja atomivoimamikroskopiamittausmenetelmillä. InAs-saarekkeiden koko ja tiheys optimoitiin ensiksi sopivaksi SOA-rakennetta varten valmistamalla itseorganisoituvia InAs-saarekkeita suoraan InP päälle. Näitä tuloksia käytettiin optimoidun InGaAsP-kerroksen sisältävän rakenteen valmistuksessa. Atomivoimamikroskopiamittaus paljasti, että optimoidun rakenteen InAs-saarekkeet olivat keskimäärin 10 nm korkeita ja 30 nm leveitä. Kvanttipisteiden luminesenssipiikin maksimi havaittiin 1.56 µm aallonpituudella 10 K lämpötilassa. |
ED: | 2010-05-05 |
INSSI record number: 39549
+ add basket
INSSI